产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5A(Tc) 43W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU220N
仓库库存编号:
IRFU220N-ND
别名:*IRFU220N
SP001568188
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 44A(Tc) 2.4W(Ta),330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB42N20D
仓库库存编号:
IRFB42N20D-ND
别名:*IRFB42N20D
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7450
仓库库存编号:
IRF7450-ND
别名:*IRF7450
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9.3A(Tc) 82W(Tc) TO-262
型号:
IRF630NL
仓库库存编号:
IRF630NL-ND
别名:*IRF630NL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.3A(Tc) 82W(Tc) D2PAK
型号:
IRF630NSTRR
仓库库存编号:
IRF630NSTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7450TR
仓库库存编号:
IRF7450TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5A(Tc) 43W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR220NTRR
仓库库存编号:
IRFR220NTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.4A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9N20DTR
仓库库存编号:
IRFR9N20DTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.4A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9N20DTRL
仓库库存编号:
IRFR9N20DTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.4A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9N20DTRR
仓库库存编号:
IRFR9N20DTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS17N20DTRL
仓库库存编号:
IRFS17N20DTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS17N20DTRR
仓库库存编号:
IRFS17N20DTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 21A(Tc) 125W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ30A
仓库库存编号:
BUZ30AIN-ND
别名:BUZ30AIN
BUZ30AX
BUZ30AXK
BUZ30AXTIN
BUZ30AXTIN-ND
SP000011336
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73
仓库库存编号:
BUZ73IN-ND
别名:BUZ73IN
BUZ73X
BUZ73XK
BUZ73XTIN
BUZ73XTIN-ND
SP000011372
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7492TR
仓库库存编号:
IRF7492TRTR-ND
别名:IRF7492TRTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7492
仓库库存编号:
IRF7492-ND
别名:*IRF7492
SP001559928
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 17A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 17A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU15N20DPBF
仓库库存编号:
IRFU15N20DPBF-ND
别名:*IRFU15N20DPBF
SP001576362
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9.3A(Tc) 82W(Tc) TO-262
型号:
IRF630NLPBF
仓库库存编号:
IRF630NLPBF-ND
别名:*IRF630NLPBF
SP001559690
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS17N20DPBF
仓库库存编号:
IRFS17N20DPBF-ND
别名:*IRFS17N20DPBF
SP001567586
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL17N20DPBF
仓库库存编号:
IRFSL17N20DPBF-ND
别名:*IRFSL17N20DPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7464TRPBF
仓库库存编号:
IRF7464PBFCT-ND
别名:*IRF7464TRPBF
IRF7464PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP149 E6327
仓库库存编号:
BSP149 E6327-ND
别名:BSP149E6327T
SP000011104
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP149 E6906
仓库库存编号:
BSP149 E6906-ND
别名:BSP149E6906T
SP000055414
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP149L6906HTSA1
仓库库存编号:
BSP149L6906HTSA1TR-ND
别名:BSP149 L6906
BSP149 L6906-ND
BSP149L6906XT
SP000089215
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP297 E6327
仓库库存编号:
BSP297 E6327-ND
别名:BSP297E6327T
SP000011108
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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