产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N20NFDX1SA1
仓库库存编号:
IPC302N20NFDX1SA1-ND
别名:SP001363494
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 72A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 72A(Tc) 375W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4127PBF
仓库库存编号:
IRFSL4127PBF-ND
别名:SP001557538
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 88A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI110N20N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI110N20N3GAKSA1-ND
别名:IPI110N20N3 G
IPI110N20N3 G-ND
IPI110N20N3G
SP000714304
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET IFX OPTIMOS TO247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 100A(Tc) 313W(Tc) TO-247AC
型号:
IRF200P223
仓库库存编号:
IRF200P223-ND
别名:SP001582440
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET IFX OPTIMOS TO247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 182A(Tc) 556W(Tc) TO-247AC
型号:
IRF200P222
仓库库存编号:
IRF200P222-ND
别名:SP001582092
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.3A(Tc) 82W(Tc) D2PAK
型号:
IRF630NS
仓库库存编号:
IRF630NS-ND
别名:*IRF630NS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
64-0007
仓库库存编号:
64-0007-ND
别名:*IRF640N
IRF640N
IRF640N-ND
SP001522470
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS17N20D
仓库库存编号:
IRFS17N20D-ND
别名:*IRFS17N20D
SP001557226
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS23N20D
仓库库存编号:
IRFS23N20D-ND
别名:*IRFS23N20D
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 31A(Tc) 3.1W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL31N20D
仓库库存编号:
IRFSL31N20D-ND
别名:*IRFSL31N20D
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9.4A(Tc) 86W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU9N20D
仓库库存编号:
IRFU9N20D-ND
别名:*IRFU9N20D
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7464
仓库库存编号:
IRF7464-ND
别名:*IRF7464
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB17N20D
仓库库存编号:
IRFB17N20D-ND
别名:*IRFB17N20D
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB23N20D
仓库库存编号:
IRFB23N20D-ND
别名:*IRFB23N20D
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 150W(Tc) TO-262
型号:
IRF640NL
仓库库存编号:
IRF640NL-ND
别名:*IRF640NL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 16A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL17N20D
仓库库存编号:
IRFSL17N20D-ND
别名:*IRFSL17N20D
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL23N20D
仓库库存编号:
IRFSL23N20D-ND
别名:*IRFSL23N20D
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7464TR
仓库库存编号:
IRF7464TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N20DTRL
仓库库存编号:
IRFR13N20DTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N20DTR
仓库库存编号:
IRFR13N20DTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N20DTRR
仓库库存编号:
IRFR13N20DTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 31A(Tc) 3.1W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS31N20DTRL
仓库库存编号:
IRFS31N20DTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 31A(Tc) 3.1W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS31N20DTRR
仓库库存编号:
IRFS31N20DTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5A(Tc) 43W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR220NTR
仓库库存编号:
IRFR220NTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5A(Tc) 43W(Tc) D-Pak
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IRFR220NTRL
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IRFR220NTRL-ND
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