产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 12A(Ta),68A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MN
型号:
IRF6646TR1
仓库库存编号:
IRF6646TR1CT-ND
别名:IRF6646TR1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 80V 70A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3418PBF
仓库库存编号:
IRFU3418PBF-ND
别名:*IRFU3418PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 95A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 80V 95A(Tc) 3.8W(Ta),210W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1312PBF
仓库库存编号:
IRF1312PBF-ND
别名:*IRF1312PBF
SP001564478
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 12A(Ta),68A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MN
型号:
IRF6646TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6646TR1PBFCT-ND
别名:IRF6646TR1PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 55A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MZ
型号:
IRF6668TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6668TR1PBFCT-ND
别名:IRF6668TR1PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 38A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 80V 38A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3518-701PBF
仓库库存编号:
IRFU3518-701PBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 70A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3418PBF
仓库库存编号:
IRFR3418PBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 70A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3418TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR3418TRLPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 70A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3418TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3418TRPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 73A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD096N08N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD096N08N3GBTMA1TR-ND
别名:IPD096N08N3 G
IPD096N08N3 G-ND
SP000474196
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 45A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD135N08N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD135N08N3GBTMA1TR-ND
别名:IPD135N08N3 G
IPD135N08N3 G-ND
SP000454266
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI028N08N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI028N08N3GHKSA1-ND
别名:IPI028N08N3 G
IPI028N08N3 G-ND
SP000395160
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI037N08N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI037N08N3GHKSA1-ND
别名:IPI037N08N3 G
IPI037N08N3 G-ND
SP000454278
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI057N08N3 G
仓库库存编号:
IPI057N08N3 G-ND
别名:SP000395182
SP000680662
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI070N08N3 G
仓库库存编号:
IPI070N08N3 G-ND
别名:SP000454290
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI100N08N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI100N08N3GHKSA1-ND
别名:IPI100N08N3 G
IPI100N08N3 G-ND
SP000474192
SP000680710
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 45A(Tc) 79W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI139N08N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI139N08N3GHKSA1-ND
别名:IPI139N08N3 G
IPI139N08N3 G-ND
SP000457714
SP000680716
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP070N08N3 G
仓库库存编号:
IPP070N08N3 G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 45A(Tc) 79W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP139N08N3 G
仓库库存编号:
IPP139N08N3 G-ND
别名:IPP139N08N3G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 50A(Tc) 100W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU103N08N3 G
仓库库存编号:
IPU103N08N3 G-ND
别名:SP000521640
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 55A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MZ
型号:
IRF6668TR1
仓库库存编号:
IRF6668TR1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP037N08N3GE8181XKSA1
仓库库存编号:
IPP037N08N3GE8181XKSA1-ND
别名:IPP037N08N3 G E8181
IPP037N08N3 G E8181-ND
SP000765976
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB097N08N3 G
仓库库存编号:
IPB097N08N3 GCT-ND
别名:IPB097N08N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 45A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB136N08N3 G
仓库库存编号:
IPB136N08N3 GCT-ND
别名:IPB136N08N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 30A(Tc) 120W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRLR2908
仓库库存编号:
AUIRLR2908-ND
别名:SP001518234
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
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