产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (69)
Microchip Technology (2)
Central Semiconductor Corp (16)
Diodes Incorporated (195)
Infineon Technologies (394)
IXYS (1)
Micro Commercial Co (12)
Nexperia USA Inc. (100)
NXP USA Inc. (28)
Fairchild/Micross Components (1)
Fairchild/ON Semiconductor (168)
ON Semiconductor (213)
Panasonic Electronic Components (23)
Renesas Electronics America (4)
Rohm Semiconductor (78)
STMicroelectronics (19)
Taiwan Semiconductor Corporation (60)
Texas Instruments (20)
Torex Semiconductor Ltd (9)
Toshiba Semiconductor and Storage (81)
Vishay Siliconix (429)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.7A(Ta),50A(Tc) 3.8W(Ta),44W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD3706
仓库库存编号:
FDD3706FSCT-ND
别名:FDD3706FSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 35.8A(Tc) 3W(Ta),6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4186DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4186DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4186DY-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),54W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7635DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7635DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7635DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7456TRPBF
仓库库存编号:
IRF7456PBFCT-ND
别名:*IRF7456TRPBF
IRF7456PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOIC
型号:
MMSF3P02HDR2G
仓库库存编号:
MMSF3P02HDR2GOSCT-ND
别名:MMSF3P02HDR2GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 7.4A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.4A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
NDS8425
仓库库存编号:
NDS8425FSCT-ND
别名:NDS8425FSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 26.6A(Tc) 3W(Ta),6.6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4477DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4477DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4477DY-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-MSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 1.1W(Ta) 8-MSOP
型号:
ZXM64P02XTA
仓库库存编号:
ZXM64P02XCT-ND
别名:ZXM64P02X
ZXM64P02XCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.1A(Ta) 1.1W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3460DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3460DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3460DV-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 2.3W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMP2002UPS-13
仓库库存编号:
DMP2002UPS-13DICT-ND
别名:DMP2002UPS-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
详细描述:表面贴装 P 沟道 104A(Tc) 2.8W(Ta),96W(Tc) 8-VSON(3.3x3.3)
型号:
CSD25404Q3T
仓库库存编号:
296-43210-1-ND
别名:296-43210-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
含铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 530mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0702N3-G
仓库库存编号:
TN0702N3-G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR866DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR866DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR866DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F
详细描述:表面贴装 P 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) UMT3F
型号:
RU1C001ZPTL
仓库库存编号:
RU1C001ZPTLCT-ND
别名:RU1C001ZPTLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 500MA SSM
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 150mW(Ta) SSM
型号:
SSM3K36FS,LF
仓库库存编号:
SSM3K36FSLFCT-ND
别名:SSM3K36FS(T5LFD)CT
SSM3K36FS(T5LFD)CT-ND
SSM3K36FS(T5LFT)CT
SSM3K36FS(T5LFT)CT-ND
SSM3K36FSLFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323
详细描述:表面贴装 P 沟道 390mA(Ta) 250mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS223PWH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS223PWH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS223PWH6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT-323
详细描述:表面贴装 P 沟道 630mA(Tc) 300mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS209PWH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS209PWH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS209PWH6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS214NWH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS214NWH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS214NWH6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS214NH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS214NH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS214N H6327CT
BSS214N H6327CT-ND
BSS214NH6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 750mA(Ta) 470mW(Ta) 3-X1DFN1006
型号:
DMN2400UFB-7
仓库库存编号:
DMN2400UFB-7DICT-ND
别名:DMN2400UFB-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 810mA(Ta) 460mW(Ta) X2-DFN1006-3
型号:
DMN2500UFB4-7
仓库库存编号:
DMN2500UFB4-7DICT-ND
别名:DMN2500UFB4-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 760mA(Ta) 380mW(Ta) 3-DFN1006(1.0x0.6)
型号:
DMN21D2UFB-7B
仓库库存编号:
DMN21D2UFB-7BDICT-ND
别名:DMN21D2UFB-7BDICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 600mW(Ta) S-Mini
型号:
SSM3J325F,LF
仓库库存编号:
SSM3J325FLFCT-ND
别名:SSM3J325FLFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS806NH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS806NH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS806N H6327CT
BSS806N H6327CT-ND
BSS806NH6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS806NEH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS806NEH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS806NEH6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
搜索
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号