产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 31W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 31W(Tc) PowerPAK? ChipFET 单通道
型号:
SI5446DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5446DU-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 31W(Tc),
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 3A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 31W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF3N50
仓库库存编号:
AOTF3N50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 31W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 31W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF4S60
仓库库存编号:
AOTF4S60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 31W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10.2A(Tc) 31W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF380N60
仓库库存编号:
FCPF380N60FS-ND
别名:FCPF380N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 31W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 31W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF7N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHF7N60E-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 31W(Tc),
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 31W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF7N60
仓库库存编号:
FCPF7N60-ND
别名:FCPF7N60_NL
FCPF7N60_NL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 31W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 22A(Tc) 31W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB22N03S4L15ATMA1
仓库库存编号:
IPB22N03S4L15ATMA1TR-ND
别名:IPB22N03S4L-15
IPB22N03S4L-15-ND
IPB22N03S4L-15INTR
IPB22N03S4L-15INTR-ND
SP000275308
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 31W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 31W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R400CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R400CEXKSA1-ND
别名:SP001429766
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 31W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 15A(Tc) 31W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R380CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R380CEXKSA1-ND
别名:SP001391616
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 31W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 10.6A(Tc) 31W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R380C6XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R380C6XKSA1-ND
别名:IPA65R380C6
IPA65R380C6-ND
SP000720896
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 31W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 31W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF7N60T
仓库库存编号:
FCPF7N60T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 31W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 620V 6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 620V 6A(Tc) 31W(Tc) TO-220FP
型号:
NDF06N62ZG
仓库库存编号:
NDF06N62ZGOS-ND
别名:NDF06N62ZG-ND
NDF06N62ZGOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 31W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 31W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF2N60
仓库库存编号:
AOTF2N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 31W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 31W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF2N60L
仓库库存编号:
AOTF2N60L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 31W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 560V 4.5A(Tc) 31W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA04N50C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA04N50C3XKSA1-ND
别名:SP000216298
SPA04N50C3
SPA04N50C3IN
SPA04N50C3IN-ND
SPA04N50C3X
SPA04N50C3XK
SPA04N50C3XTIN
SPA04N50C3XTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 31W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 13A(Tc) 31W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP80CN10NGHKSA1
仓库库存编号:
IPP80CN10NGHKSA1-ND
别名:IPP80CN10N G
IPP80CN10N G-ND
IPP80CN10NGX
IPP80CN10NGXK
SP000096475
SP000680966
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 31W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD135N03LGXT
仓库库存编号:
IPD135N03LGXTCT-ND
别名:IPD135N03LGINCT
IPD135N03LGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 31W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 20A(Tc) 31W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP147N03L G
仓库库存编号:
IPP147N03LGIN-ND
别名:IPP147N03LGIN
IPP147N03LGXK
SP000266315
SP000680874
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 31W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS135N03LGAKMA1
仓库库存编号:
IPS135N03LGAKMA1-ND
别名:IPS135N03L G
IPS135N03LGIN
IPS135N03LGIN-ND
IPS135N03LGXK
SP000257455
SP000788220
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 31W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU135N03L G
仓库库存编号:
IPU135N03LGIN-ND
别名:IPU135N03LGIN
IPU135N03LGXK
SP000260752
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 31W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Tc) 31W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB147N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPB147N03LGATMA1TR-ND
别名:IPB147N03L G
IPB147N03L G-ND
SP000254712
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 31W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 13A(Tc) 31W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB79CN10N G
仓库库存编号:
IPB79CN10N G-ND
别名:SP000277697
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 31W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD160N04LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD160N04LGBTMA1TR-ND
别名:IPD160N04L G
IPD160N04L G-ND
SP000387933
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 31W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD170N04NGBTMA1
仓库库存编号:
IPD170N04NGBTMA1TR-ND
别名:IPD170N04N G
IPD170N04N G-ND
SP000388297
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 31W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 22A(Tc) 31W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI22N03S4L15AKSA1
仓库库存编号:
IPI22N03S4L15AKSA1-ND
别名:IPI22N03S4L-15
IPI22N03S4L-15-ND
SP000277016
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 31W(Tc),
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