产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 100A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN100N20
仓库库存编号:
IXFN100N20-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 70V 180A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN180N07
仓库库存编号:
IXFN180N07-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 21A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN21N100Q
仓库库存编号:
IXFN21N100Q-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 27A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN27N80Q
仓库库存编号:
IXFN27N80Q-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 21A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN21N100
仓库库存编号:
IXTN21N100-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 63A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 63A(Tc) 520W(Tc) SMPD
型号:
MMIX1F132N50P3
仓库库存编号:
MMIX1F132N50P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 24A(Tc) 520W(Tc) ISOPLUSi5-Pak?
型号:
IXFL32N120P
仓库库存编号:
IXFL32N120P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 25A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT10035JLL
仓库库存编号:
APT10035JLL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 150A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN150N10
仓库库存编号:
IXFN150N10-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 280V 75A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 280V 75A(Tc) 520W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA75N28
仓库库存编号:
FDA75N28-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 520W(Tc) T-MAX?
型号:
APT10M11B2VFRG
仓库库存编号:
APT10M11B2VFRG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 200V 100A(Tc) 520W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT20M22B2VFRG
仓库库存编号:
APT20M22B2VFRG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 200V 100A(Tc) 520W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT20M22B2VRG
仓库库存编号:
APT20M22B2VRG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 28A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Tc) 520W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT28F60B
仓库库存编号:
APT28F60B-ND
别名:APT28F60BMI
APT28F60BMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 400V 57A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 400V 57A(Tc) 520W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT40M70LVFRG
仓库库存编号:
APT40M70LVFRG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 44A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN44N50U2
仓库库存编号:
IXFN44N50U2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 44A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN44N50U3
仓库库存编号:
IXFN44N50U3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 48A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN48N50U2
仓库库存编号:
IXFN48N50U2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 48A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN48N50U3
仓库库存编号:
IXFN48N50U3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 30A(Tc) 520W(Tc) D3Pak
型号:
APT28F60S
仓库库存编号:
APT28F60S-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 19A(Tc) 520W(Tc) SOT-227
型号:
APT12057JLL
仓库库存编号:
APT12057JLL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 400V 56A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 400V 56A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT40M75JN
仓库库存编号:
APT40M75JN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 43A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT5012JN
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APT5012JN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
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