产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 250W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N06S207AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N06S207AKSA1-ND
别名:IPI80N06S2-07
IPI80N06S2-07-ND
SP000218817
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 250W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S207AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S207AKSA1-ND
别名:IPP80N06S2-07
IPP80N06S2-07-ND
SP000218810
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 250W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2L06AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S2L06AKSA1-ND
别名:IPP80N06S2L-06
IPP80N06S2L-06-ND
SP000218824
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 250W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 75A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP165NQ08T,127
仓库库存编号:
PHP165NQ08T,127-ND
别名:934062188127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 250W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S4H1ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N06S4H1ATMA1TR-ND
别名:IPB120N06S4-H1
IPB120N06S4-H1-ND
SP000396274
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 250W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N06S4H1ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N06S4H1ATMA1TR-ND
别名:IPB180N06S4-H1
IPB180N06S4-H1-ND
SP000415562
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 250W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI120N06S4H1AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N06S4H1AKSA1-ND
别名:IPI120N06S4-H1
IPI120N06S4-H1-ND
SP000415620
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 250W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N06S4H1AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N06S4H1AKSA1-ND
别名:IPP120N06S4-H1
IPP120N06S4-H1-ND
SP000415698
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 250W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB021N06N3GATMA1
仓库库存编号:
IPB021N06N3GATMA1CT-ND
别名:IPB021N06N3 GCT
IPB021N06N3 GCT-ND
IPB021N06N3G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 250W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4310ZGPBF
仓库库存编号:
IRFB4310ZGPBF-ND
别名:SP001575544
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 250W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 27A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF6218S
仓库库存编号:
AUIRF6218S-ND
别名:SP001516490
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 250W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2L06AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S2L06AKSA2-ND
别名:SP001067882
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 250W(Tc),
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