产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:STMicroelectronics,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
STMicroelectronics (96)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 13A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
STW13NB60
仓库库存编号:
497-2772-5-ND
别名:497-2772-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:STMicroelectronics,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
含铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 11A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
STW11NB80
仓库库存编号:
497-2789-5-ND
别名:497-2789-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:STMicroelectronics,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
含铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 14A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
STW16NK60Z
仓库库存编号:
497-3558-5-ND
别名:497-3558-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:STMicroelectronics,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 13A I2SPAK
详细描述:通孔 N 沟道 650V 13A(Tc) 190W(Tc) I2PAK
型号:
STB16NK65Z-S
仓库库存编号:
497-4098-5-ND
别名:497-4098-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:STMicroelectronics,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 14A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 14A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
STP16NK60Z
仓库库存编号:
497-4372-5-ND
别名:497-4372-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:STMicroelectronics,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 17A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB20NK50ZT4
仓库库存编号:
497-4323-1-ND
别名:497-4323-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:STMicroelectronics,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 75A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 75A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
STP75N20
仓库库存编号:
497-5271-5-ND
别名:497-5271-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:STMicroelectronics,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 75A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 75A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
STW75N20
仓库库存编号:
497-5320-5-ND
别名:497-5320-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:STMicroelectronics,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 75A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB75N20
仓库库存编号:
497-5313-1-ND
别名:497-5313-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:STMicroelectronics,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 25A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 25A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
STP30NM60N
仓库库存编号:
497-8447-5-ND
别名:497-8447-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:STMicroelectronics,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 25A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 25A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
STP30NM60ND
仓库库存编号:
497-8448-5-ND
别名:497-8448-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:STMicroelectronics,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 25A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
STW30NM60ND
仓库库存编号:
497-8458-5-ND
别名:497-8458-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:STMicroelectronics,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 25A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB30NM60N
仓库库存编号:
497-8474-1-ND
别名:497-8474-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:STMicroelectronics,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 25A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB30NM60ND
仓库库存编号:
497-8475-1-ND
别名:497-8475-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:STMicroelectronics,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 68V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 68V 80A(Tc) 190W(Tc) TO-220-3
型号:
STP75NF68
仓库库存编号:
STP75NF68-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:STMicroelectronics,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 27A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 27A(Tc) 190W(Tc) TO-220-3
型号:
STP30NM50N
仓库库存编号:
497-8790-5-ND
别名:497-8790-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:STMicroelectronics,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 27A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB30NM50N
仓库库存编号:
497-8768-1-ND
别名:497-8768-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:STMicroelectronics,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 25A(Tc) 190W(Tc) I2PAK
型号:
STI30NM60N
仓库库存编号:
STI30NM60N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:STMicroelectronics,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 61A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 61A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
STP80N20M5
仓库库存编号:
497-10715-5-ND
别名:497-10715-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:STMicroelectronics,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 15A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 620V 15.5A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
STW17N62K3
仓库库存编号:
497-10717-5-ND
别名:497-10717-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:STMicroelectronics,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 30A(Tc) 190W(Tc) TO-247
型号:
STW38N65M5
仓库库存编号:
497-13124-5-ND
别名:497-13124-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:STMicroelectronics,规格:功率耗散(最大值) 190W(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号