产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD07N60S5
仓库库存编号:
SPD07N60S5INCT-ND
别名:SPD07N60S5INCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 42A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 42A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP42N03S2L-13
仓库库存编号:
SPP42N03S2L-13IN-ND
别名:SPP42N03S2L-13IN
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 83W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU07N03LA
仓库库存编号:
IPU07N03LAIN-ND
别名:IPU07N03LAIN
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP06N03LA
仓库库存编号:
IPP06N03LAIN-ND
别名:IPP06N03LAIN
IPP06N03LAX
IPP06N03LAXTIN
IPP06N03LAXTIN-ND
SP000014025
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI07N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPI07N60C3HKSA1-ND
别名:SP000013521
SPI07N60C3
SPI07N60C3IN
SPI07N60C3IN-ND
SPI07N60C3X
SPI07N60C3X-ND
SPI07N60C3XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB06N03LA
仓库库存编号:
IPB06N03LAINCT-ND
别名:IPB06N03LAINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD06N03LA G
仓库库存编号:
IPD06N03LAGINCT-ND
别名:IPD06N03LAGINCT
IPD06N03LAGXTINCT
IPD06N03LAGXTINCT-ND
IPD06N03LAINCT
IPD06N03LAINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 6A(Ta) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD06N80C3BTMA1
仓库库存编号:
SPD06N80C3BTMA1CT-ND
别名:SPD06N80C3INCT
SPD06N80C3INCT-ND
SPD06N80C3XTINCT
SPD06N80C3XTINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD07N60C3BTMA1
仓库库存编号:
SPD07N60C3BTMA1CT-ND
别名:SPD07N60C3INCT
SPD07N60C3INCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 42A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB42N03S2L13T
仓库库存编号:
SPB42N03S2L13T-ND
别名:SP000016256
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 42A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 42A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP42N03S2L13
仓库库存编号:
SPP42N03S2L-13TIN-ND
别名:SP000013464
SPP42N03S2L-13XTIN
SPP42N03S2L-13XTIN-ND
SPP42N03S2L13X
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB06N03LAT
仓库库存编号:
IPB06N03LAXTINCT-ND
别名:IPB06N03LAXTINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD07N60C3T
仓库库存编号:
SPD07N60C3XTINCT-ND
别名:SPD07N60C3XTINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD07N60S5T
仓库库存编号:
SPD07N60S5XTINCT-ND
别名:SPD07N60S5XTINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB06N03LA G
仓库库存编号:
IPB06N03LA G-ND
别名:IPB06N03LAGXT
SP000068850
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 83W(Tc) P-TO263-3
型号:
IPB06N03LB
仓库库存编号:
IPB06N03LB-ND
别名:IPB06N03LBT
SP000065274
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB06N03LB G
仓库库存编号:
IPB06N03LB G-ND
别名:IPB06N03LBGXT
SP000103304
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPDH5N03LA G
仓库库存编号:
IPDH5N03LA G-ND
别名:IPDH5N03LAGXT
SP000064379
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) P-TO252-3
型号:
IPF06N03LA G
仓库库存编号:
IPF06N03LA G-ND
别名:IPF06N03LAGXT
SP000017607
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI06N03LA
仓库库存编号:
IPI06N03LA-ND
别名:IPI06N03LAX
SP000014026
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS06N03LA G
仓库库存编号:
IPS06N03LA G-ND
别名:IPS06N03LAGX
SP000015130
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS06N03LZ G
仓库库存编号:
IPS06N03LZ G-ND
别名:IPS06N03LZGX
SP000016328
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSH5N03LA G
仓库库存编号:
IPSH5N03LA G-ND
别名:IPSH5N03LAGX
SP000064378
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSH6N03LB G
仓库库存编号:
IPSH6N03LB G-ND
别名:IPSH6N03LBGX
SP000220143
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPUH6N03LB G
仓库库存编号:
IPUH6N03LB G-ND
别名:IPUH6N03LBGX
SP000209114
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
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