产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.9W(Ta),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7460DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7460DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7460DP-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.9W(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7454DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7454DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7454DP-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.9W(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7852DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7852DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7852DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.9W(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7439DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7439DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7439DP-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.9W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.6A(Ta) 1.9W(Ta) 8-SO
型号:
ZXMP3A16N8TA
仓库库存编号:
ZXMP3A16N8CT-ND
别名:ZXMP3A16N8CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.9W(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7478DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7478DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7478DP-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.9W(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.6A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7461DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7461DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7461DP-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.9W(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.6A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7461DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7461DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7461DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.9W(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.6A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7370DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7370DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7370DP-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.9W(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7846DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7846DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7846DP-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.9W(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7478DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7478DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7478DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.9W(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7450DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7450DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7450DP-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.9W(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7450DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7450DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7450DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.9W(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7434DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7434DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7434DP-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.9W(Ta),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.6A(Ta) 1.9W(Ta)
型号:
SI7370DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7370DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7370DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.9W(Ta),
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 3.5A
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5A(Ta) 1.9W(Ta) 6-DSBGA(1x1.5)
型号:
CSD13306W
仓库库存编号:
CSD13306W-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.9W(Ta),
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 11.1A(Ta) 1.9W(Ta) U-DFN2020-6(E 类)
型号:
DMP2021UFDE-13
仓库库存编号:
DMP2021UFDE-13-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.9W(Ta),
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 11.1A(Ta) 1.9W(Ta) U-DFN2020-6(E 类)
型号:
DMP2021UFDE-7
仓库库存编号:
DMP2021UFDE-7-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.9W(Ta),
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 1.9W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMN1004UFV-13
仓库库存编号:
DMN1004UFV-13-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.9W(Ta),
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 1.9W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMN1004UFV-7
仓库库存编号:
DMN1004UFV-7-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.9W(Ta),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1.9W(Ta) 6-WLCSP
型号:
FDZ193P
仓库库存编号:
FDZ193PCT-ND
别名:FDZ193PCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.9W(Ta),
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V CPH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 1.9W(Ta) 6-CPH
型号:
NVC6S5A354PLZT1G
仓库库存编号:
NVC6S5A354PLZT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.9W(Ta),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7454DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7454DP-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.9W(Ta),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7636DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7636DP-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.9W(Ta),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7846DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7846DP-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 1.9W(Ta),
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