产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 200V 6.5A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9630L
仓库库存编号:
IRF9630L-ND
别名:*IRF9630L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.2A(Tc) I2PAK
型号:
IRFBC40AL
仓库库存编号:
IRFBC40AL-ND
别名:*IRFBC40AL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.8A(Tc) I2PAK
型号:
IRFBE20L
仓库库存编号:
IRFBE20L-ND
别名:*IRFBE20L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1.8A(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE20S
仓库库存编号:
IRFBE20S-ND
别名:*IRFBE20S
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1.8A(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE20STRL
仓库库存编号:
IRFBE20STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1.8A(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE20STRR
仓库库存编号:
IRFBE20STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 3.6A(Tc) I2PAK
型号:
IRFBF30L
仓库库存编号:
IRFBF30L-ND
别名:*IRFBF30L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 1.4A(Ta) I2PAK
型号:
IRFBG20L
仓库库存编号:
IRFBG20L-ND
别名:*IRFBG20L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 2.6A(Ta) TO-220-3
型号:
IRFI610G
仓库库存编号:
IRFI610G-ND
别名:*IRFI610G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 400V 1.6A(Ta) TO-220-3
型号:
IRFI710G
仓库库存编号:
IRFI710G-ND
别名:*IRFI710G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 1000V TO-220-3
型号:
IRFIBG20G
仓库库存编号:
IRFIBG20G-ND
别名:*IRFIBG20G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 31A(Ta) D2PAK
型号:
IRFL31N20D
仓库库存编号:
IRFL31N20D-ND
别名:*IRFL31N20D
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V D-Pak
型号:
IRFR11N25D
仓库库存编号:
IRFR11N25D-ND
别名:*IRFR11N25D
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V D-Pak
型号:
IRFR24N10D
仓库库存编号:
IRFR24N10D-ND
别名:*IRFR24N10D
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103D1STRR
仓库库存编号:
IRL3103D1STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 5.6A(Tc) TO-262-3
型号:
IRL510L
仓库库存编号:
IRL510L-ND
别名:*IRL510L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 15A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 15A(Tc) TO-262-3
型号:
IRL530L
仓库库存编号:
IRL530L-ND
别名:*IRL530L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 28A(Tc) TO-262-3
型号:
IRL540L
仓库库存编号:
IRL540L-ND
别名:*IRL540L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 17A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 17A(Tc) TO-262-3
型号:
IRL640L
仓库库存编号:
IRL640L-ND
别名:*IRL640L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 89A(Ta) D-Pak
型号:
IRLR8103TRL
仓库库存编号:
IRLR8103TRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 89A(Ta) D-Pak
型号:
IRLR8103TRR
仓库库存编号:
IRLR8103TRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 50A(Tc) TO-262-3
型号:
IRLZ44L
仓库库存编号:
IRLZ44L-ND
别名:*IRLZ44L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 8-SO
型号:
ZXMN2A05N8TA
仓库库存编号:
ZXMN2A05N8DKR-ND
别名:ZXMN2A05N8DKR
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含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8-SO
型号:
ZXMN3A05N8TA
仓库库存编号:
ZXMN3A05N8DKR-ND
别名:ZXMN3A05N8DKR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 8-SO
型号:
ZXMN6A10N8TA
仓库库存编号:
ZXMN6A10N8DKR-ND
别名:ZXMN6A10N8DKR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
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