产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC171N04NX1SA1
仓库库存编号:
IPC171N04NX1SA1-ND
别名:SP000300150
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 2A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC218N04N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC218N04N3X1SA1-ND
别名:SP000448986
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 3A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC218N06L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC218N06L3X1SA1-ND
别名:SP000476924
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 3A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC218N06N3X1SA2
仓库库存编号:
IPC218N06N3X1SA2-ND
别名:SP000544188
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N08N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N08N3X1SA1-ND
别名:SP000476912
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302NE7N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302NE7N3X1SA1-ND
别名:SP000840426
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N10N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N10N3X1SA1-ND
别名:SP000476916
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC26N12NX1SA1
仓库库存编号:
IPC26N12NX1SA1-ND
别名:SP000296743
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N15N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N15N3X1SA1-ND
别名:SP000875892
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC300N15N3RX1SA2
仓库库存编号:
IPC300N15N3RX1SA2-ND
别名:SP001049344
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N12N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N12N3X1SA1-ND
别名:SP000717450
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N20N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N20N3X1SA1-ND
别名:SP000619656
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N25N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N25N3X1SA1-ND
别名:SP000870638
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N20NFDX1SA1
仓库库存编号:
IPC302N20NFDX1SA1-ND
别名:SP001363494
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N25N3AX1SA1
仓库库存编号:
IPC302N25N3AX1SA1-ND
别名:SP000691616
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14.5A(Tc) D2PAK
型号:
STB16NF25
仓库库存编号:
STB16NF25-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH DPAK
详细描述:MOSFET N-CH DPAK
型号:
STD150N2LH5
仓库库存编号:
STD150N2LH5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 2.2A SUPERMESH
详细描述:MOSFET N-CH 620V 2.2A SUPERMESH
型号:
STQ2N62K3-AP
仓库库存编号:
STQ2N62K3-AP-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH6530AL,115
仓库库存编号:
568-7366-1-ND
别名:568-7366-1
PH6530AL115
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH9030AL,115
仓库库存编号:
PH9030AL,115-ND
别名:934063092115
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 60V 600mA(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9113
仓库库存编号:
IRFD9113-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V SOT-23-6
型号:
ZXM63N02E6TA
仓库库存编号:
ZXM63N02E6DKR-ND
别名:ZXM63N02E6DKR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 5.6A(Tc) TO-262-3
型号:
IRF510L
仓库库存编号:
IRF510L-ND
别名:*IRF510L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 14A(Tc) TO-262
型号:
IRF530L
仓库库存编号:
IRF530L-ND
别名:*IRF530L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 28A(Tc) TO-262
型号:
IRF540L
仓库库存编号:
IRF540L-ND
别名:*IRF540L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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