产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 40A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS488DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS488DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS488DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 34A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),34A(Tc) 5W(Ta),43W(Tc) 8-DFN-EP(3x3)
型号:
AON7262E
仓库库存编号:
800-3749-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 40A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 48W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6262E
仓库库存编号:
800-3747-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS454DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS454DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS454DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 54A DFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 54A(Ta),85A(Tc) 7.4W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6752
仓库库存编号:
785-1498-1-ND
别名:785-1498-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA06DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA06DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA06DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta) 3.2W(Ta),21W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5811NLTAG
仓库库存编号:
NVTFS5811NLTAGOSCT-ND
别名:NVTFS5811NLTAGOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 78A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.9A(Ta),78A(Tc) 770mW(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C55NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4C55NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4C55NT1GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA04DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA04DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA04DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 23A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),70A(Tc) 2.7W(Ta),150W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD240
仓库库存编号:
785-1347-1-ND
别名:785-1347-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 147A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 17.1A(Ta),147A(Tc) 930mW(Ta),69.44W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4934NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4934NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4934NT1GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 4.2W(Ta),36W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR402DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR402DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR402DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 35A POWERFLAT6X5
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Tc) 114W(Tc) PowerFlat?(6x5)
型号:
STL150N3LLH5
仓库库存编号:
497-8483-1-ND
别名:497-8483-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
详细描述:N 沟道 200A(Ta),170A(Tc) 250W(Tc) DDPAK/TO-263-3
型号:
CSD18542KTTT
仓库库存编号:
296-44124-1-ND
别名:296-44124-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7866ADP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7866ADP-T1-E3CT-ND
别名:SI7866ADP-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),65A(Tc) 2.5W(Ta),39W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC886N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC886N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC886N03LS GCT
BSC886N03LS GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),30W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ100N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ100N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSZ100N03LSGINCT
BSZ100N03LSGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD075N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD075N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD075N03LGINCT
IPD075N03LGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD060N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD060N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD060N03LGINCT
IPD060N03LGINCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),71A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC057N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC057N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC057N03LSGINCT
BSC057N03LSGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Ta),18A(Tc) 2.1W(Ta),37W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0904NSI
仓库库存编号:
BSZ0904NSICT-ND
别名:BSZ0904NSICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0901NS
仓库库存编号:
BSC0901NSCT-ND
别名:BSC0901NSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB042N03L G
仓库库存编号:
IPB042N03LGINCT-ND
别名:IPB042N03LGINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0901NSI
仓库库存编号:
BSZ0901NSICT-ND
别名:BSZ0901NSICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0901NSI
仓库库存编号:
BSC0901NSICT-ND
别名:BSC0901NSICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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