产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 84A(Ta),200A(Tc) 7.3W(Ta),208W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6560
仓库库存编号:
AON6560-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 211A 8-VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 211A (Tc) 139W(Tc) 8-VSON-CLIP(5x6)
型号:
CSD18512Q5BT
仓库库存编号:
CSD18512Q5BT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 49A(Ta),319A(Tc) 3.84W(Ta), 161W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS4C01NT3G
仓库库存编号:
NVMFS4C01NT3G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 49A(Ta),319A(Tc) 3.84W(Ta), 161W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS4C01NWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS4C01NWFT3G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE882DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE882DF-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 49A(Ta),319A(Tc) 3.84W(Ta), 161W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS4C01NT1G
仓库库存编号:
NVMFS4C01NT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 49A(Ta),319A(Tc) 3.84W(Ta), 161W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS4C01NWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS4C01NWFT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 105A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.5A(Ta),105A(Tc) 2.1W(Ta),300W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB292L
仓库库存编号:
785-1618-1-ND
别名:785-1618-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),210A(Tc) 1.06W(Ta),104W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4933NT3G
仓库库存编号:
NTMFS4933NT3G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),210A(Tc) 1.06W(Ta),104W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4933NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4933NT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7866ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7866ADP-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 47A(Ta),303A(Tc) 3.2W(Ta), 134W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C020NT3G
仓库库存编号:
NTMFS4C020NT3G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 47A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 47A(Ta),303A(Tc) 3.2W(Ta), 134W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C01NT3G
仓库库存编号:
NTMFS4C01NT3G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 200A(Ta) 375W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD18536KCS
仓库库存编号:
CSD18536KCS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 47A(Ta),303A(Tc) 3.2W(Ta), 134W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C020NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4C020NT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 47A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 47A(Ta),303A(Tc) 3.2W(Ta), 134W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C01NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4C01NT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC014N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC014N03L3X1SA1-ND
别名:SP000454346
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC022N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC022N03L3X1SA1-ND
别名:SP000904026
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD090N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD090N03LGBTMA1-ND
别名:SP000236950
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC028N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC028N03L3X1SA1-ND
别名:SP000555720
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD075N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD075N03LGBTMA1-ND
别名:SP000249747
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD060N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD060N03LGBTMA1-ND
别名:SP000236948
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC042N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC042N03L3X1SA1-ND
别名:SP000448976
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD050N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD050N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD050N03LGINCT
IPD050N03LGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD050N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD050N03LGBTMA1-ND
别名:SP000254716
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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