产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Infineon Technologies (117)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Ta),30A(Tc) 2.5W(Ta),89W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC080P03LS G
仓库库存编号:
BSC080P03LS GCT-ND
别名:BSC080P03LS GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),55A(Tc) 1.4W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6623
仓库库存编号:
IRF6623CT-ND
别名:*IRF6623
IRF6623CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC014N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC014N03L3X1SA1-ND
别名:SP000454346
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC022N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC022N03L3X1SA1-ND
别名:SP000904026
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD090N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD090N03LGBTMA1-ND
别名:SP000236950
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC028N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC028N03L3X1SA1-ND
别名:SP000555720
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD075N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD075N03LGBTMA1-ND
别名:SP000249747
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD060N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD060N03LGBTMA1-ND
别名:SP000236948
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC042N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC042N03L3X1SA1-ND
别名:SP000448976
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD050N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD050N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD050N03LGINCT
IPD050N03LGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD050N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD050N03LGBTMA1-ND
别名:SP000254716
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD040N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD040N03LGBTMA1-ND
别名:SP000254715
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC055N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC055N03L3X1SA1-ND
别名:SP000448980
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB055N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPB055N03LGATMA1TR-ND
别名:IPB055N03L G
IPB055N03LGINTR
IPB055N03LGINTR-ND
IPB055N03LGXT
SP000304110
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD031N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD031N03LGBTMA1-ND
别名:SP000236957
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 28A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC020N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC020N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC020N03LS GCT
BSC020N03LS GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 70A(Tc) 79W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP042N03LGHKSA1
仓库库存编号:
IPP042N03LGHKSA1-ND
别名:SP000256161
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80P04P4L04ATMA1
仓库库存编号:
IPB80P04P4L04ATMA1-ND
别名:SP000840196
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO220-3
详细描述:通孔 P 沟道 40V 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80P04P4L04AKSA1
仓库库存编号:
IPP80P04P4L04AKSA1-ND
别名:SP000840200
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS040N03LGBKMA1
仓库库存编号:
IPS040N03LGBKMA1-ND
别名:IPS040N03L G
IPS040N03LG
IPS040N03LGIN
IPS040N03LGIN-ND
SP000256159
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO262-3
详细描述:通孔 P 沟道 40V 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80P04P4L04AKSA1
仓库库存编号:
IPI80P04P4L04AKSA1-ND
别名:SP000840198
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP065N03LGXKSA1
仓库库存编号:
IPP065N03LGXKSA1-ND
别名:IPP065N03L G
IPP065N03LG
IPP065N03LGIN
IPP065N03LGIN-ND
IPP065N03LGXK
SP000254736
SP000680818
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 26A(Ta),85A(Tc) 3.6W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? MT
型号:
IRF6601
仓库库存编号:
IRF6601CT-ND
别名:IRF6601CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8113TR
仓库库存编号:
IRF8113TR-ND
别名:SP001577648
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8113
仓库库存编号:
IRF8113-ND
别名:*IRF8113
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
含铅
搜索
1
2
3
4
5
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号