产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (4)
Diodes Incorporated (41)
Infineon Technologies (2)
Nexperia USA Inc. (17)
NXP USA Inc. (2)
Fairchild/ON Semiconductor (1)
ON Semiconductor (48)
Texas Instruments (7)
Toshiba Semiconductor and Storage (7)
Vishay Siliconix (9)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.3A(Ta) 900mW(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMN3030LFG-7
仓库库存编号:
DMN3030LFG-7DICT-ND
别名:DMN3030LFG-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 0.15A CST3C
详细描述:表面贴装 N 沟道 150mA(Ta) 500mW(Ta) CST3C
型号:
SSM3K72CTC,L3F
仓库库存编号:
SSM3K72CTCL3FCT-ND
别名:SSM3K72CTCL3FCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 270mA(Ta) 310mW(Ta), 1.67W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
NX7002BKR
仓库库存编号:
1727-2663-1-ND
别名:1727-2663-1
568-13168-1
568-13168-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 0.4A
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 400mA(Ta) 270mW(Ta) S-Mini
型号:
SSM3K7002KF,LF
仓库库存编号:
SSM3K7002KFLFCT-ND
别名:SSM3K7002KFLFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 38A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.2A(Ta),38A(Tc) 750mW(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C13NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4C13NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4C13NT1GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9A(Ta),52A(Tc) 760mW(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C08NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4C08NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4C08NT1GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 60A(Tc) 52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISA24DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISA24DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISA24DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9A(Ta),52A(Tc) 760mW(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C59NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4C59NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4C59NT1GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8.6A(Ta) 900mW(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMP3008SFGQ-7
仓库库存编号:
DMP3008SFGQ-7DICT-ND
别名:DMP3008SFGQ-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 81.7A(Ta), 100A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA20DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIRA20DP-T1-RE3CT-ND
别名:SIRA20DP-T1-RE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 0.17A SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 170mA(Ta) 150mW(Ta) USM
型号:
SSM3K7002CFU,LF
仓库库存编号:
SSM3K7002CFULFCT-ND
别名:SSM3K7002CFULFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 0.4A
详细描述:表面贴装 N 沟道 400mA(Ta) 500mW(Ta) CST3
型号:
SSM3K72KCT,L3F
仓库库存编号:
SSM3K72KCTL3FCT-ND
别名:SSM3K72KCTL3FCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 4.9A TSOT-26
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.9A(Ta) 1.2W(Ta) TSOT-26
型号:
DMP3065LVT-7
仓库库存编号:
DMP3065LVT-7DICT-ND
别名:DMP3065LVT-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.3A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-26
型号:
DMP3056LDM-7
仓库库存编号:
DMP3056LDMDICT-ND
别名:DMP3056LDMDICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Ta) 1W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMN3018SFG-7
仓库库存编号:
DMN3018SFG-7DICT-ND
别名:DMN3018SFG-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.9A(Ta) 2W(Ta) SOT-26
型号:
DMN3033LDM-7
仓库库存编号:
DMN3033LDM-7DICT-ND
别名:DMN3033LDM-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1.4W(Ta) SC-59
型号:
DMN3033LSNQ-7
仓库库存编号:
DMN3033LSNQ-7DICT-ND
别名:DMN3033LSNQ-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Ta) 1.08W(Ta) SOT-23-3
型号:
DMP3160L-7
仓库库存编号:
DMP3160LDICT-ND
别名:DMP3160LDICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 45A POWERDI
详细描述:表面贴装 P 沟道 13.2A(Ta) 1.29W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMP3012LPS-13
仓库库存编号:
DMP3012LPS-13DICT-ND
别名:DMP3012LPS-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
DMN3007LSS-13
仓库库存编号:
DMN3007LSSDICT-ND
别名:DMN3007LSSDICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V POWERPAK SO8L
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 56W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ486EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ486EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ486EP-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 81A 8-SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),81A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD16404Q5A
仓库库存编号:
296-24250-1-ND
别名:296-24250-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA,
含铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 36A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 36A(Ta) 2.18W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMP3010LPSQ-13
仓库库存编号:
DMP3010LPSQ-13DICT-ND
别名:DMP3010LPSQ-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 49A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 49A(Tc) 44W(Tc) DPAK
型号:
NVD5C668NLT4G
仓库库存编号:
NVD5C668NLT4GOSCT-ND
别名:NVD5C668NLT4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 113A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),113A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)
型号:
CSD16408Q5C
仓库库存编号:
296-25647-1-ND
别名:296-25647-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA,
含铅
搜索
1
2
3
4
5
6
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号