产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Diodes Incorporated,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 4.7W(Ta), 136W(Tc) TO-263AB
型号:
DMTH6004SCTB-13
仓库库存编号:
DMTH6004SCTB-13DICT-ND
别名:DMTH6004SCTB-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Diodes Incorporated,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 700mA(Ta) 625mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXMN10A07FTA
仓库库存编号:
ZXMN10A07FCT-ND
别名:ZXMN10A07FCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Diodes Incorporated,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 1.1W(Ta) SOT-26
型号:
ZXMN10A08E6TA
仓库库存编号:
ZXMN10A08E6CT-ND
别名:ZXMN10A08E6CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Diodes Incorporated,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 100A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 3.9W(Ta), 180W(Tc) TO-252-4L
型号:
DMTH6004SK3Q-13
仓库库存编号:
DMTH6004SK3Q-13DICT-ND
别名:DMTH6004SK3Q-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Diodes Incorporated,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 4.6A(Tc) 41W(Tc) TO-251
型号:
DMJ70H1D3SI3
仓库库存编号:
DMJ70H1D3SI3DI-ND
别名:DMJ70H1D3SI3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Diodes Incorporated,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
详细描述:通孔 N 沟道 4.6A(Tc) 41W(Tc) TO-251
型号:
DMJ70H1D3SH3
仓库库存编号:
DMJ70H1D3SH3DI-ND
别名:DMJ70H1D3SH3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Diodes Incorporated,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 60V 98A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 98A(Tc) 2.3W(Ta), 104W(Tc) TO-220-3
型号:
DMT6010SCT
仓库库存编号:
DMT6010SCTDI-5-ND
别名:DMT6010SCTDI-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Diodes Incorporated,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 100A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 4.7W(Ta), 136W(Tc) TO-263AB
型号:
DMTH6004SCTBQ-13
仓库库存编号:
DMTH6004SCTBQ-13DICT-ND
别名:DMTH6004SCTBQ-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Diodes Incorporated,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET 60V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 2.8W(Ta), 136W(Tc) TO-220-3
型号:
DMTH6004SCT
仓库库存编号:
DMTH6004SCTDI-5-ND
别名:DMTH6004SCTDI-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Diodes Incorporated,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 100V 700MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 700mA(Ta) 400mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN10H700S-13
仓库库存编号:
DMN10H700S-13-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Diodes Incorporated,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 41W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
DMN60H4D5SK3-13
仓库库存编号:
DMN60H4D5SK3-13-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Diodes Incorporated,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Tc) 41W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
DMN60H3D5SK3-13
仓库库存编号:
DMN60H3D5SK3-13-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Diodes Incorporated,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 40V 13A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),80A(Tc) 1.5W(Ta),100W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMNH4011SPS-13
仓库库存编号:
DMNH4011SPS-13-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Diodes Incorporated,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 2.6W(Ta) TO-252
型号:
DMNH4011SK3-13
仓库库存编号:
DMNH4011SK3-13DI-ND
别名:DMNH4011SK3-13DI
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Diodes Incorporated,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET PCH 100V 1.7A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.7A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXMP10A17GQTC
仓库库存编号:
ZXMP10A17GQTC-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Diodes Incorporated,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
详细描述:通孔 N 沟道 2.8A(Tc) 41W(Tc) TO-251
型号:
DMG3N60SJ3
仓库库存编号:
DMG3N60SJ3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Diodes Incorporated,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 700V 3.9A
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 3.9A(Tc) 28W(Tc) TO-252
型号:
DMJ7N70SK3-13
仓库库存编号:
DMJ7N70SK3-13-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Diodes Incorporated,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 23A(Ta) 2.5W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMT6004SPS-13
仓库库存编号:
DMT6004SPS-13-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Diodes Incorporated,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 40V 100A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 3.9W(Ta), 180W(Tc) TO-252-4L
型号:
DMTH4004SK3Q-13
仓库库存编号:
DMTH4004SK3Q-13-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Diodes Incorporated,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.3A(Tc) 104W(Tc) TO-220AB
型号:
DMG3N60SCT
仓库库存编号:
DMG3N60SCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Diodes Incorporated,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH TO251
详细描述:通孔 N 沟道 700V 4.6A(Tc) 41W(Tc) TO-251
型号:
DMJ70H1D3SJ3
仓库库存编号:
DMJ70H1D3SJ3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Diodes Incorporated,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
详细描述:通孔 N 沟道 650V 5.5A(Tc) 125W(Tc) TO-251
型号:
DMG7N65SJ3
仓库库存编号:
DMG7N65SJ3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Diodes Incorporated,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V ITO-220A
详细描述:通孔 N 沟道 7.7A(Tc) 28W(Tc) ITO-220AB
型号:
DMG7N65SCTI
仓库库存编号:
DMG7N65SCTI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Diodes Incorporated,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 7.7A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
DMG7N65SCT
仓库库存编号:
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
DMG8N65SCT
仓库库存编号:
DMG8N65SCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Diodes Incorporated,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA,
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