产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6800pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 250A POWERSO-10
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 200A(Tc) 300W(Tc) 10-PowerSO
型号:
STV250N55F3
仓库库存编号:
497-7030-1-ND
别名:497-7030-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6800pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 120A(Tc) 330W(Tc) D2PAK
型号:
STB185N55F3
仓库库存编号:
497-7940-1-ND
别名:497-7940-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6800pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 120A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
STP200N6F3
仓库库存编号:
497-9096-5-ND
别名:497-9096-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 66A(Tc) 735W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN66N50Q2
仓库库存编号:
IXFN66N50Q2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 200A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 200A(Tc) 430W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA200N075T
仓库库存编号:
IXTA200N075T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 200A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 200A(Tc) 430W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA200N075T7
仓库库存编号:
IXTA200N075T7-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 200A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 75V 200A(Tc) 430W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH200N075T
仓库库存编号:
IXTH200N075T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 200A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 200A(Tc) 430W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP200N075T
仓库库存编号:
IXTP200N075T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 200A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 75V 200A(Tc) 430W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ200N075T
仓库库存编号:
IXTQ200N075T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6800pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 20A(Tc) 357W(Tc) SP1
型号:
APTM100DA40T1G
仓库库存编号:
APTM100DA40T1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6800pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 20A(Tc) 357W(Tc) SP1
型号:
APTM100SK40T1G
仓库库存编号:
APTM100SK40T1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6800pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 102A(Tc) 750W(Tc) PLUS220
型号:
IXTV102N20T
仓库库存编号:
IXTV102N20T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6800pF @ 25V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 400V 56A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 400V 56A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT40M75JN
仓库库存编号:
APT40M75JN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6800pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N06S2-05
仓库库存编号:
SPB100N06S2-05-ND
别名:SP000013713
SPB100N06S205T
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N06S2-05
仓库库存编号:
SPP100N06S2-05-ND
别名:SP000013720
SPP100N06S205
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6800pF @ 25V,
含铅
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