产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 200V 11A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9640
仓库库存编号:
IRF9640-ND
别名:*IRF9640
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 900V 3.6A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPF30
仓库库存编号:
IRFPF30-ND
别名:*IRFPF30
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 12A TO-247AC
详细描述:通孔 P 沟道 200V 12A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP9240
仓库库存编号:
IRFP9240-ND
别名:*IRFP9240
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 11A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9640S
仓库库存编号:
IRF9640S-ND
别名:*IRF9640S
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 11A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9640STRL
仓库库存编号:
IRF9640STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 900V 1.9A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBF30G
仓库库存编号:
IRFIBF30G-ND
别名:*IRFIBF30G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIZ34G
仓库库存编号:
IRFIZ34G-ND
别名:*IRFIZ34G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 30A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ34
仓库库存编号:
IRFZ34-ND
别名:*IRFZ34
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 200V 6.1A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9640G
仓库库存编号:
IRFI9640G-ND
别名:*IRFI9640G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 200V 11A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) I2PAK
型号:
IRF9640L
仓库库存编号:
IRF9640L-ND
别名:*IRF9640L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 11A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9640STRR
仓库库存编号:
IRF9640STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 3.6A(Tc) I2PAK
型号:
IRFBF30L
仓库库存编号:
IRFBF30L-ND
别名:*IRFBF30L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 3.6A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBF30S
仓库库存编号:
IRFBF30S-ND
别名:*IRFBF30S
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 3.6A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBF30STRL
仓库库存编号:
IRFBF30STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 3.6A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBF30STRR
仓库库存编号:
IRFBF30STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 30A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) TO-262-3
型号:
IRFZ34L
仓库库存编号:
IRFZ34L-ND
别名:*IRFZ34L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34S
仓库库存编号:
IRFZ34S-ND
别名:*IRFZ34S
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34STRL
仓库库存编号:
IRFZ34STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34STRR
仓库库存编号:
IRFZ34STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 6A(Tc) 1.25W(Ta),20W(Tc) DPAK
型号:
MTD6N15T4
仓库库存编号:
MTD6N15T4OSCT-ND
别名:MTD6N15T4OSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 27A(Ta) 88.2W(Tc) D2PAK
型号:
NTB30N06T4
仓库库存编号:
NTB30N06T4OS-ND
别名:NTB30N06T4OS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 27A(Ta) 88.2W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP30N06
仓库库存编号:
NTP30N06OS-ND
别名:NTP30N06OS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 24A(Ta) 1.36W(Ta),62.5W(Tj) I-Pak
型号:
NTD24N06-001
仓库库存编号:
NTD24N06-001OS-ND
别名:NTD24N06-001OS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 3.6A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBF30SPBF
仓库库存编号:
IRFBF30SPBF-ND
别名:*IRFBF30SPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220-5
详细描述:通孔 N 沟道 400V 10A(Tc) 125W(Tc) TO-220-5
型号:
IRC740PBF
仓库库存编号:
IRC740PBF-ND
别名:*IRC740PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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