产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 25V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Diodes Incorporated (2)
Infineon Technologies (6)
Fairchild/ON Semiconductor (23)
STMicroelectronics (5)
Taiwan Semiconductor Corporation (8)
Vishay Siliconix (4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 17A(Tc) 3.75W(Ta),79W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB17P06TM
仓库库存编号:
FQB17P06TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 60V 12A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF17P06
仓库库存编号:
FQPF17P06-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 20A(Tc) 75W(Tc) TO-252AA
型号:
HUF76419D3ST
仓库库存编号:
HUF76419D3ST-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Tc) 75W(Tc) TO-251AA
型号:
HUFA76419D3
仓库库存编号:
HUFA76419D3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 20A(Tc) 75W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76419D3S
仓库库存编号:
HUFA76419D3S-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 29A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 29A(Tc) 75W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF76419P3
仓库库存编号:
HUF76419P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 15A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50V 15A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
RFP15N05L
仓库库存编号:
RFP15N05L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 29A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 29A(Tc) 75W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA76419P3
仓库库存编号:
HUFA76419P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 29A(Tc) 75W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76419S3S
仓库库存编号:
HUFA76419S3S-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 29A(Tc) 75W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76419S3S
仓库库存编号:
HUF76419S3S-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 29A(Tc) 75W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76419S3ST
仓库库存编号:
HUF76419S3ST-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 29A(Tc) 75W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76419S3ST
仓库库存编号:
HUFA76419S3ST-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Tc) 75W(Tc) TO-251AA
型号:
HUF76419D3
仓库库存编号:
HUF76419D3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 150V 18A(Tc) 88W(Tc) TO-220-3
型号:
SUP18N15-95-E3
仓库库存编号:
SUP18N15-95-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 25V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5.6A(Ta) 90W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM6N50CH C5G
仓库库存编号:
TSM6N50CH C5G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 25V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5.6A(Ta) 90W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM6N50CP ROG
仓库库存编号:
TSM6N50CP ROGTR-ND
别名:TSM6N50CP ROGTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 25V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5.6A(Ta) 90W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM6N50CP ROG
仓库库存编号:
TSM6N50CP ROGCT-ND
别名:TSM6N50CP ROGCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 25V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5.6A(Ta) 90W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM6N50CP ROG
仓库库存编号:
TSM6N50CP ROGDKR-ND
别名:TSM6N50CP ROGDKR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 18A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR18N15D
仓库库存编号:
IRFR18N15D-ND
别名:*IRFR18N15D
SP001571432
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 25V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 150V 18A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU18N15D
仓库库存编号:
IRFU18N15D-ND
别名:*IRFU18N15D
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 25V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 18A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR18N15DTRL
仓库库存编号:
IRFR18N15DTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 25V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 18A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR18N15DTR
仓库库存编号:
IRFR18N15DTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 25V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 18A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR18N15DTRR
仓库库存编号:
IRFR18N15DTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 25V,
含铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号