产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1400pF @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 700mW(Ta) WS迷你型6-F1-B
型号:
FJ6K01010L
仓库库存编号:
FJ6K01010LCT-ND
别名:FJ6K01010LCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1400pF @ 10V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 700mW(Ta) WS迷你型6-F1-B
型号:
MTM761110LBF
仓库库存编号:
MTM761110LBFCT-ND
别名:MTM761110LBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1400pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Ta) 700mW(Ta) TSMT8
型号:
RQ1C075UNTR
仓库库存编号:
RQ1C075UNCT-ND
别名:RQ1C075UNTRCT
RQ1C075UNTRCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1400pF @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 9A ECH8
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Ta) 1.5W(Ta) 8-ECH
型号:
ECH8310-TL-H
仓库库存编号:
ECH8310-TL-HOSCT-ND
别名:ECH8310-TL-HOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1400pF @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 67A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH8230E,115
仓库库存编号:
1727-3123-1-ND
别名:1727-3123-1
568-2350-1
568-2350-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1400pF @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 14A(Ta),60A(Tc) 2.8W(Ta) 8-VSON(3.3x3.3)
型号:
CSD25401Q3
仓库库存编号:
296-24260-1-ND
别名:296-24260-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1400pF @ 10V,
含铅
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