产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.2A(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.2A(Tc) I2PAK
型号:
IRFBC40AL
仓库库存编号:
IRFBC40AL-ND
别名:*IRFBC40AL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.2A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40ASTRL
仓库库存编号:
IRFBC40ASTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.2A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40ASTRR
仓库库存编号:
IRFBC40ASTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.2A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBC40LCL
仓库库存编号:
IRFBC40LCL-ND
别名:*IRFBC40LCL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.2A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC40LC
仓库库存编号:
IRFBC40LC-ND
别名:*IRFBC40LC
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.2A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40LCS
仓库库存编号:
IRFBC40LCS-ND
别名:*IRFBC40LCS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.2A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40LCSTRL
仓库库存编号:
IRFBC40LCSTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.2A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40LCSTRR
仓库库存编号:
IRFBC40LCSTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.2A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40STRL
仓库库存编号:
IRFBC40STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.2A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40STRR
仓库库存编号:
IRFBC40STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.2A(Tc),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 6.2A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) I-Pak
型号:
FQU8N25TU
仓库库存编号:
FQU8N25TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.2A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 6.2A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD8N25TF
仓库库存编号:
FQD8N25TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.2A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 3.13W(Ta),130W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB6N60TM
仓库库存编号:
FQB6N60TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.2A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 130W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP6N60
仓库库存编号:
FQP6N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.2A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 6.2A(Tc) 3.13W(Ta),142W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB6N70TM
仓库库存编号:
FQB6N70TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.2A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6.2A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) 8-SO
型号:
SI4621DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4621DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4621DY-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.2A(Tc),
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