产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Infineon Technologies (64)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 17A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3410TRL
仓库库存编号:
IRLR3410TRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 17A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3410TRR
仓库库存编号:
IRLR3410TRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 17A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 17A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU15N20DPBF
仓库库存编号:
IRFU15N20DPBF-ND
别名:*IRFU15N20DPBF
SP001576362
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ24NLPBF
仓库库存编号:
IRFZ24NLPBF-ND
别名:*IRFZ24NLPBF
SP001571902
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 30W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD14N06S2-80
仓库库存编号:
SPD14N06S2-80-ND
别名:SP000013575
SPD14N06S280T
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 17A(Tc) 227W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW17N80C3A
仓库库存编号:
SPW17N80C3A-ND
别名:SP000101842
SPW17N80C3AX
SPW17N80C3AXK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 17A(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3410CPBF
仓库库存编号:
IRLR3410CPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD14N06S280ATMA1
仓库库存编号:
IPD14N06S280ATMA1TR-ND
别名:IPD14N06S2-80
IPD14N06S2-80-ND
SP000252161
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 17A(Tc) 44W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD64CN10N G
仓库库存编号:
IPD64CN10N G-ND
别名:SP000104810
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 17A(Tc) 44W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU64CN10N G
仓库库存编号:
IPU64CN10N G-ND
别名:SP000209097
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ24NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ24NSTRLPBFCT-ND
别名:IRFZ24NSTRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRLR024N
仓库库存编号:
AUIRLR024N-ND
别名:SP001523060
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFZ24NSTRR
仓库库存编号:
AUIRFZ24NSTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 45W(Tc) TO-252AA
型号:
AUIRFR024N
仓库库存编号:
AUIRFR024N-ND
别名:SP001515958
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号