产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 1.2W(Ta),105W(Tc) TO-252
型号:
NP90N04VUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP90N04VUG-E1-AYCT-ND
别名:NP90N04VUG-E1-AYCT
NP90N04VUGE1AY
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 110A(Tc) 1.5W(Ta),213W(Tc) TO-263
型号:
2SK3811-ZP-E1-AY
仓库库存编号:
2SK3811-ZP-E1-AYCT-ND
别名:2SK3811-ZP-E1-AYCT
2SK3811ZPE1AY
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 160A(Tc) 1.8W(Ta),250W(Tc) TO-263-7
型号:
NP160N055TUJ-E1-AY
仓库库存编号:
NP160N055TUJ-E1-AYCT-ND
别名:NP160N055TUJ-E1-AYCT
NP160N055TUJE1AY
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 180A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 180A(Tc) 1.8W(Ta),348W(Tc) TO-263-7
型号:
NP180N055TUJ-E1-AY
仓库库存编号:
NP180N055TUJ-E1-AYTR-ND
别名:NP180N055TUJ-E1-AY-ND
NP180N055TUJ-E1-AYTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 60A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 60A(Tc) 1.2W(Ta),105W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP60N03SUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP60N03SUG-E1-AYCT-ND
别名:NP60N03SUG-E1-AYCT
NP60N03SUGE1AY
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MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 1W(Ta),120W(Tc) 8-HSON
型号:
NP74N04YUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP74N04YUG-E1-AYCT-ND
别名:NP74N04YUG-E1-AYCT
NP74N04YUGE1AY
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 1.8W(Ta),115W(Tc) TO-263
型号:
NP80N04PUG-E1B-AY
仓库库存编号:
NP80N04PUG-E1B-AYCT-ND
别名:NP80N04PUG-E1B-AYCT
NP80N04PUGE1BAY
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MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 40A(Ta) 55W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0454DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0454DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK0454DPB-00#J5CT
RJK0454DPB00J5
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MOSFET N-CH 60V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Ta) 55W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0654DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0654DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK0654DPB-00#J5CT
RJK0654DPB00J5
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MOSFET N-CH 80V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 25A(Ta) 55W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0854DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0854DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK0854DPB-00#J5CT
RJK0854DPB00J5
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MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 23A(Ta) 60W(Tc) LFPAK
型号:
RJK1055DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK1055DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK1055DPB-00#J5CT
RJK1055DPB00J5
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MOSFET N-CH 900V 3A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 3A(Ta) 80W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1339-E
仓库库存编号:
2SK1339-E-ND
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1340-E
仓库库存编号:
2SK1340-E-ND
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MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1341-E
仓库库存编号:
2SK1341-E-ND
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MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 8A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1342-E
仓库库存编号:
2SK1342-E-ND
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MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 8A(Ta) 60W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1775-E
仓库库存编号:
2SK1775-E-ND
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MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6A(Ta) 60W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1859-E
仓库库存编号:
2SK1859-E-ND
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MOSFET N-CH 600V 0.2A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 600V 200mA(Ta) 750mW(Ta) TO-92-3
型号:
HS54095TZ-E
仓库库存编号:
HS54095TZ-E-ND
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Ta) 1.5W(Ta),119W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
N0413N-ZK-E1-AY
仓库库存编号:
N0413N-ZK-E1-AY-ND
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MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 100A(Ta) 1.5W(Ta),156W(Tc) TO-263
型号:
N0601N-ZK-E1-AY
仓库库存编号:
N0601N-ZK-E1-AY-ND
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MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 1.8W(Ta),176W(Tc) TO-263
型号:
NP100N04PUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP100N04PUK-E1-AY-ND
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MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 1.8W(Ta),176W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
NP100N055PUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP100N055PUK-E1-AY-ND
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MOSFET N-CH 40V 110A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 110A(Tc) 1.8W(Ta),220W(Tc) TO-263-3
型号:
NP109N04PUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP109N04PUG-E1-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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MOSFET N-CH 40V 110A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 110A(Tc) 1.8W(Ta),250W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
NP109N04PUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP109N04PUK-E1-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 110A(Tc) 1.8W(Ta),250W(Tc) TO-263
型号:
NP109N055PUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP109N055PUK-E1-AY-ND
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