产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 60V 1.1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9014
仓库库存编号:
IRFD9014-ND
别名:*IRFD9014
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.8A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL9014
仓库库存编号:
IRFL9014-ND
别名:*IRFL9014
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.8A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL9014TR
仓库库存编号:
IRFL9014TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 1.7A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR310
仓库库存编号:
IRFR310-ND
别名:*IRFR310
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 1.7A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR310TR
仓库库存编号:
IRFR310TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9014
仓库库存编号:
IRFR9014-ND
别名:*IRFR9014
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9014TR
仓库库存编号:
IRFR9014TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9014TRL
仓库库存编号:
IRFR9014TRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.7A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 400V 1.7A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU310
仓库库存编号:
IRFU310-ND
别名:*IRFU310
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9014
仓库库存编号:
IRFU9014-ND
别名:*IRFU9014
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 60V 6.7A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) I2PAK
型号:
IRF9Z14L
仓库库存编号:
IRF9Z14L-ND
别名:*IRF9Z14L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 6.7A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z14STRL
仓库库存编号:
IRF9Z14STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 6.7A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z14STRR
仓库库存编号:
IRF9Z14STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 60V 5.3A(Tc) 27W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9Z14G
仓库库存编号:
IRFI9Z14G-ND
别名:*IRFI9Z14G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 1.7A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR310TRL
仓库库存编号:
IRFR310TRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 1.7A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR310TRR
仓库库存编号:
IRFR310TRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9014NTRL
仓库库存编号:
IRFR9014NTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9014NTR
仓库库存编号:
IRFR9014NTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9014NTRR
仓库库存编号:
IRFR9014NTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9014TRR
仓库库存编号:
IRFR9014TRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1.9A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N60CTF
仓库库存编号:
FQD2N60CTF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.25W(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2309DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2309DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2309DS-T1-E3CT
SI2309DST1E3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 380mA(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2327DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2327DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2327DS-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1.9A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N60CTF_F080
仓库库存编号:
FQD2N60CTF_F080-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 3A(Ta) 20W(Tc) PW-MOLD
型号:
2SK3462(TE16L1,NQ)
仓库库存编号:
2SK3462(TE16L1,NQ)-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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