产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.8A(Tc) 2W(Tc)
型号:
SQ2361ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2361ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2361ES-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Tc) 1.7W(Ta),2.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4823DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4823DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4823DY-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta) 3W(Ta),23.7W(Tc) 8-HSOP
型号:
RS1E170GNTB
仓库库存编号:
RS1E170GNTBCT-ND
别名:RS1E170GNTBCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.9A(Tc) 3.3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3459BDV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3459BDV-T1-E3CT-ND
别名:SI3459BDV-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 600V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 45W(Tc) DPAK
型号:
STD2LN60K3
仓库库存编号:
497-13390-1-ND
别名:497-13390-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 61W(Tc) DPAK
型号:
NDD04N50ZT4G
仓库库存编号:
NDD04N50ZT4GOSCT-ND
别名:NDD04N50ZT4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
STD4NK50ZT4
仓库库存编号:
497-4103-1-ND
别名:497-4103-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7A(Tc) 62.5W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD5N50NZFTM
仓库库存编号:
FDD5N50NZFTMCT-ND
别名:FDD5N50NZFTMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 700mW(Ta),18W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN22006NH,LQ
仓库库存编号:
TPN22006NHLQCT-ND
别名:TPN22006NHLQCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 33W(Tc)
型号:
SQS462EN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS462EN-T1_GE3CT-ND
别名:SQS462EN-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.9A
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N60CTM_WS
仓库库存编号:
FQD2N60CTM_WSCT-ND
别名:FQD2N60CTM_WSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 86.2W(Tc) I-Pak
型号:
GP2M004A060PG
仓库库存编号:
1560-1194-5-ND
别名:1560-1194-1
1560-1194-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 85W(Tc) DPAK
型号:
STD11N50M2
仓库库存编号:
497-15306-1-ND
别名:497-15306-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 25V 40A POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3W(Ta),41W(Tc) Dual Cool ? 33
型号:
FDMC8588DC
仓库库存编号:
FDMC8588DCCT-ND
别名:FDMC8588DCCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.8A(Ta) 2W(Ta) 6-TSOP
型号:
IRFTS9342TRPBF
仓库库存编号:
IRFTS9342TRPBFCT-ND
别名:IRFTS9342TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
PMPB55ENEA/SOT1220/REEL 7" Q1/
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 1.65W(Ta) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB55ENEAX
仓库库存编号:
1727-2730-1-ND
别名:1727-2730-1
568-13294-1
568-13294-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 57W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC520N15NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC520N15NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC520N15NS3 GCT
BSC520N15NS3 GCT-ND
BSC520N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD530N15N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD530N15N3GATMA1CT-ND
别名:IPD530N15N3GATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 30W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF5N50NZ
仓库库存编号:
FDPF5N50NZ-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 23W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF2N60C
仓库库存编号:
FQPF2N60C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 54W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP2N60C
仓库库存编号:
FQP2N60CFS-ND
别名:FQP2N60C-ND
FQP2N60CFS
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 150W(Tc) TO-263
型号:
IXTA8N65X2
仓库库存编号:
IXTA8N65X2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.9A(Tc) 28W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R600P6
仓库库存编号:
IPA60R600P6-ND
别名:IPA60R600P6XKSA1
SP001017070
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 85W(Tc) TO-220
型号:
STP7LN80K5
仓库库存编号:
497-16497-5-ND
别名:497-16497-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF7LN80K5
仓库库存编号:
497-16492-5-ND
别名:497-16492-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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