产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600P6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R600P6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R600P6ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 62W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD5N50NZTM
仓库库存编号:
FDD5N50NZTMCT-ND
别名:FDD5N50NZTMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.7A(Tc) 56.8W(Tc) 8-ThinPak(5x6)
型号:
IPL60R650P6SATMA1
仓库库存编号:
IPL60R650P6SATMA1CT-ND
别名:IPL60R650P6SATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.7A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z14SPBF
仓库库存编号:
IRF9Z14SPBF-ND
别名:*IRF9Z14SPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 78W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP5N50NZ
仓库库存编号:
FDP5N50NZ-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 68W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP530N15N3 G
仓库库存编号:
IPP530N15N3 G-ND
别名:IPP530N15N3G
IPP530N15N3GXKSA1
SP000521722
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 85W(Tc) DPAK
型号:
STD7LN80K5
仓库库存编号:
497-16491-1-ND
别名:497-16491-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 85W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
STU7LN80K5
仓库库存编号:
497-16498-5-ND
别名:497-16498-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5A I2PAKFP
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 25W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI7LN80K5
仓库库存编号:
497-16494-5-ND
别名:497-16494-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 7A I2PAKFP
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 25W(Tc)
型号:
STFI9N80K5
仓库库存编号:
497-16495-5-ND
别名:497-16495-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4A(Tc) 83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM4NC50CP ROG
仓库库存编号:
TSM4NC50CP ROGTR-ND
别名:TSM4NC50CP ROGTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4A(Tc) 83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM4NC50CP ROG
仓库库存编号:
TSM4NC50CP ROGCT-ND
别名:TSM4NC50CP ROGCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4A(Tc) 83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM4NC50CP ROG
仓库库存编号:
TSM4NC50CP ROGDKR-ND
别名:TSM4NC50CP ROGDKR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 600V 2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 45W(Tc) I-Pak
型号:
STU2LN60K3
仓库库存编号:
497-13393-5-ND
别名:497-13393-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 45W(Tc) I-Pak
型号:
STD4NK50Z-1
仓库库存编号:
497-12559-5-ND
别名:497-12559-5
STD4NK50Z-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9014PBF
仓库库存编号:
IRFU9014PBF-ND
别名:*IRFU9014PBF
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.7A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.7A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU310PBF
仓库库存编号:
IRFU310PBF-ND
别名:*IRFU310PBF
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 6.7A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z10PBF
仓库库存编号:
IRF9Z10PBF-ND
别名:*IRF9Z10PBF
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.9A(Tj) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP320SH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP320SH6327XTSA1CT-ND
别名:BSP320SH6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A 8PSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 3W(Ta) 8-PSOP
型号:
RMW130N03TB
仓库库存编号:
RMW130N03TBCT-ND
别名:RMW130N03TBCT
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 20W(Tc) PW-MOLD
型号:
2SK2231(TE16R1,NQ)
仓库库存编号:
2SK2231TE16RQCT-ND
别名:2SK2231TE16RQCT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Tc) 2.8W(Tc) SOT-363
型号:
SI1416EDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1416EDH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1416EDH-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 2.3W(Ta),5.7W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5468DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5468DC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5468DC-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.5A(Ta),24A(Tc) 3.1W(Ta),20W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7410
仓库库存编号:
785-1581-1-ND
别名:785-1581-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 600mW(Ta) TSMT6(SC-95)
型号:
RRQ030P03TR
仓库库存编号:
RRQ030P03CT-ND
别名:RRQ030P03TRCT
RRQ030P03TRCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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