产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 1.7A(Ta) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3103
仓库库存编号:
IRFR3103-ND
别名:*IRFR3103
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 1.7A(Ta) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3103TRL
仓库库存编号:
IRFR3103TRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 1.7A(Ta) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3103TR
仓库库存编号:
IRFR3103TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 1.7A(Ta) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3103TRR
仓库库存编号:
IRFR3103TRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9014N
仓库库存编号:
IRFR9014N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.7A(Ta) 1.25W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7523D1TR
仓库库存编号:
IRF7523D1TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU9014N
仓库库存编号:
IRFU9014N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP320S E6327
仓库库存编号:
BSP320S E6327-ND
别名:BSP320SE6327T
SP000011115
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP320S E6433
仓库库存编号:
BSP320S E6433-ND
别名:BSP320SE6433T
SP000011116
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.7A(Ta) 1.25W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7523D1TRPBF
仓库库存编号:
IRF7523D1TRPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 0.98A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 980mA(Tc) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP321PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP321PL6327HTSA1TR-ND
别名:BSP321P L6327
BSP321P L6327-ND
SP000212228
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 7.2A(Ta),15A(Tc) 2.1W(Ta),9.6W(Tc) 6-PQFN(2x2)
型号:
IRLHS2242TR2PBF
仓库库存编号:
IRLHS2242TR2PBFCT-ND
别名:IRLHS2242TR2PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP320SL6433HTMA1
仓库库存编号:
BSP320SL6433HTMA1CT-ND
别名:BSP320S L6433CT
BSP320S L6433CT-ND
BSP320SL6433
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 21A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD530N15N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD530N15N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD530N15N3 GCT
IPD530N15N3 GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600P6
仓库库存编号:
IPD60R600P6CT-ND
别名:IPD60R600P6CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.9A(Tc) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R2K8CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU80R2K8CEBKMA1-ND
别名:SP001100622
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1.9A(Tc) 42W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD80R2K8CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD80R2K8CEBTMA1CT-ND
别名:IPD80R2K8CEBTMA1CT
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