产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Infineon Technologies (37)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N04S2L03ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N04S2L03ATMA1TR-ND
别名:IPB100N04S2L-03
IPB100N04S2L-03-ND
SP000219065
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N06S2L05ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N06S2L05ATMA1TR-ND
别名:IPB100N06S2L-05
IPB100N06S2L-05-ND
SP000219003
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2L05ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S2L05ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S2L-05
IPB80N06S2L-05-ND
SP000219004
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N06S2L05AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N06S2L05AKSA1-ND
别名:IPI80N06S2L-05
IPI80N06S2L-05-ND
SP000219002
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N04S2L03AKSA1
仓库库存编号:
IPP100N04S2L03AKSA1-ND
别名:IPP100N04S2L-03
IPP100N04S2L-03-ND
SP000219062
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N06S2L05AKSA1
仓库库存编号:
IPP100N06S2L05AKSA1-ND
别名:IPP100N06S2L-05
IPP100N06S2L-05-ND
SP000218879
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 120A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1405ZSTRL7PP
仓库库存编号:
IRF1405ZSTRL7PPCT-ND
别名:IRF1405ZSTRL7PPCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 150A TO263CA-7
详细描述:通孔 N 沟道 55V 120A(Tc) 230W(Tc) TO-263CA-7
型号:
IRF1405ZL-7PPBF
仓库库存编号:
IRF1405ZL-7PPBF-ND
别名:SP001563240
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 135A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF2805S
仓库库存编号:
AUIRF2805S-ND
别名:SP001519486
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 190A(Tc) 380W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRFS4010-7P
仓库库存编号:
AUIRFS4010-7P-ND
别名:AUIRFS40107P
SP001516602
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 38A(Tc) 3.1W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF5210S
仓库库存编号:
AUIRF5210S-ND
别名:SP001519218
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N04S2L03AKSA2
仓库库存编号:
IPP100N04S2L03AKSA2-ND
别名:SP001063638
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 230nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号