产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 1.8W(Ta),220W(Tc) TO-263-7
型号:
NP160N04TUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP160N04TUG-E1-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 110A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 110A(Tc) 1.8W(Ta),220W(Tc) TO-263-3
型号:
NP109N04PUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP109N04PUG-E1-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A 417W TO-3PN
型号:
FCA47N60F_SN00171
仓库库存编号:
FCA47N60F_SN00171-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 160A(Tc) 300W(Tc) TO-262
型号:
IRF2907ZLPBF
仓库库存编号:
IRF2907ZLPBF-ND
别名:SP001576784
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S4H1ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N06S4H1ATMA1TR-ND
别名:IPB120N06S4-H1
IPB120N06S4-H1-ND
SP000396274
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N06S4H1ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N06S4H1ATMA1TR-ND
别名:IPB180N06S4-H1
IPB180N06S4-H1-ND
SP000415562
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI120N06S4H1AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N06S4H1AKSA1-ND
别名:IPI120N06S4-H1
IPI120N06S4-H1-ND
SP000415620
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N06S4H1AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N06S4H1AKSA1-ND
别名:IPP120N06S4-H1
IPP120N06S4-H1-ND
SP000415698
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
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