产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 120A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263
型号:
SQM120N03-1M5L_GE3
仓库库存编号:
SQM120N03-1M5L_GE3-ND
别名:SQM120N03-1M5L-GE3
SQM120N03-1M5L-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A(Tc) 417W(Tc) TO-3PN
型号:
FCA47N60
仓库库存编号:
FCA47N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A(Tc) 417W(Tc) TO-3PN
型号:
FCA47N60_F109
仓库库存编号:
FCA47N60_F109FS-ND
别名:FCA47N60_F109-ND
FCA47N60_F109FS
FCA47N60F109
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 48A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 500V 48A(Tc) 500W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK48N50
仓库库存编号:
IXFK48N50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 28A(Tc) 416W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR34N80
仓库库存编号:
IXFR34N80-ND
别名:Q1149424
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 62A(Tc) 1560W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB62N80Q3
仓库库存编号:
IXFB62N80Q3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 33A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT33N90JCU2
仓库库存编号:
APT33N90JCU2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 33A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT33N90JCU3
仓库库存编号:
APT33N90JCU3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 34A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN34N80
仓库库存编号:
IXFN34N80-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 33A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT33N90JCCU2
仓库库存编号:
APT33N90JCCU2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S4H1ATMA2
仓库库存编号:
IPB120N06S4H1ATMA2-ND
别名:SP001028782
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 183A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 183A(Tc) 290W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL7734PBF
仓库库存编号:
IRFSL7734PBF-ND
别名:SP001557658
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N06S4H1ATMA2
仓库库存编号:
IPB180N06S4H1ATMA2-ND
别名:SP001028786
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 160A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
IRF2907ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF2907ZSTRLPBFCT-ND
别名:IRF2907ZSTRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N06S4H1AKSA2
仓库库存编号:
IPP120N06S4H1AKSA2-ND
别名:SP001028780
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 183A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 183A(Tc) 290W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB7734PBF
仓库库存编号:
IRFB7734PBF-ND
别名:SP001565862
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 170A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 75V 170A(Tc) 310W(Tc) TO-247AC
型号:
AUIRFP2907Z
仓库库存编号:
AUIRFP2907Z-ND
别名:SP001521648
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 500V 44A(Tc) 500W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK44N50
仓库库存编号:
IXFK44N50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A(Tc) 417W(Tc) TO-247
型号:
FCH47N60
仓库库存编号:
FCH47N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A(Tc) 417W(Tc) TO-247
型号:
FCH47N60F
仓库库存编号:
FCH47N60F-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 44A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN44N50U2
仓库库存编号:
IXFN44N50U2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 44A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN44N50U3
仓库库存编号:
IXFN44N50U3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 48A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN48N50U2
仓库库存编号:
IXFN48N50U2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 48A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN48N50U3
仓库库存编号:
IXFN48N50U3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 160A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Ta) 1.8W(Ta),220W(Tc) TO-263-7
型号:
NP160N04TDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP160N04TDG-E1-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 270nC @ 10V,
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