产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 270nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 44A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN44N50
仓库库存编号：
IXFN44N50-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 270nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 48A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN48N50
仓库库存编号：
IXFN48N50-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 90A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 310W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP2907ZPBF
仓库库存编号：
IRFP2907ZPBF-ND
别名：*IRFP2907ZPBF
SP001571048
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 94A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 94A（Tc） 580W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP90N20DPBF
仓库库存编号：
IRFP90N20DPBF-ND
别名：*IRFP90N20DPBF
SP001552070
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 36A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 417W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW90R120C3
仓库库存编号：
IPW90R120C3-ND
别名：IPW90R120C3FKSA1
IPW90R120C3XK
Q4173182
SP000413750
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 270nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX34N80
仓库库存编号：
IXFX34N80-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF2907ZPBF
仓库库存编号：
IRF2907ZPBF-ND
别名：*IRF2907ZPBF
SP001571154
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 300V 70A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 517W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP4868PBF
仓库库存编号：
IRFP4868PBF-ND
别名：SP001556792
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 93A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 93A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP4768PBF
仓库库存编号：
IRFP4768PBF-ND
别名：SP001571028
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 270nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247-3
型号：
FCH47N60F_F133
仓库库存编号：
FCH47N60F_F133-ND
别名：FCH47N60FF133
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 270nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRF2907Z
仓库库存编号：
AUIRF2907Z-ND
别名：SP001515818
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 270nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 47A TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） TO-3PN
型号：
FCA47N60F
仓库库存编号：
FCA47N60F-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 270nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM120P06-07L_GE3
仓库库存编号：
SQM120P06-07L_GE3CT-ND
别名：SQM120P06-07L_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 270nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 135V 129A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 129A（Tc） 441W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IRF135B203
仓库库存编号：
IRF135B203-ND
别名：SP001576588
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 270nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 110A（Tc） 13.6W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM110P08-11L-E3
仓库库存编号：
SUM110P08-11L-E3CT-ND
别名：SUM110P08-11L-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 270nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247
型号：
FCH47N60_F133
仓库库存编号：
FCH47N60_F133-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 270nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-247-3
详细描述：通孔 N 沟道 63.3A（Tc） 500W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R048CFDAFKSA1
仓库库存编号：
IPW65R048CFDAFKSA1-ND
别名：SP000895318
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 270nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 197A（Tc） 294W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
IRFS7734TRL7PP
仓库库存编号：
IRFS7734TRL7PPCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 270nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 135V 129A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 129A（Tc） 441W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
IRF135S203
仓库库存编号：
IRF135S203CT-ND
别名：IRF135S203CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 270nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 34A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK34N80
仓库库存编号：
IXFK34N80-ND
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 88A（Tc） 694W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT50M38JLL
仓库库存编号：
APT50M38JLL-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 49A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN62N80Q3
仓库库存编号：
IXFN62N80Q3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 270nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 183A（Tc） 290W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
IRFS7734TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS7734TRLPBFCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 270nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM120N04-1M9_GE3
仓库库存编号：
SQM120N04-1M9_GE3-ND
别名：SQM120N04-1M9-GE3
SQM120N04-1M9-GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 270nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：通孔 P 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
SQP90P06-07L_GE3
仓库库存编号：
SQP90P06-07L_GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 270nC @ 10V,
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