产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 51A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 51A(Tc) 350W(Tc) TO-247-3
型号:
STW55NM60ND
仓库库存编号:
497-7036-5-ND
别名:497-7036-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 26.6A(Tc) 3W(Ta),6.6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4477DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4477DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4477DY-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N10-3M8_GE3
仓库库存编号:
SQM120N10-3M8_GE3TR-ND
别名:SQM120N10-3M8_GE3TR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N10-3M8_GE3
仓库库存编号:
SQM120N10-3M8_GE3CT-ND
别名:SQM120N10-3M8_GE3-ND
SQM120N10-3M8_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 300W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP064PBF
仓库库存编号:
IRFP064PBF-ND
别名:*IRFP064PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 6.1A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPG50PBF
仓库库存编号:
IRFPG50PBF-ND
别名:*IRFPG50PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 80A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 1300W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK80N60P3
仓库库存编号:
IXFK80N60P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 431W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R045CP
仓库库存编号:
IPW60R045CPIN-ND
别名:IPW60R045CP-ND
IPW60R045CPFKSA1
IPW60R045CPIN
IPW60R045CPXK
IPW60R045CSX
SP000067149
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 57A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 57A(Tc) 200W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP3710PBF
仓库库存编号:
IRFP3710PBF-ND
别名:*IRFP3710PBF
64-6014PBF
64-6014PBF-ND
SP001552026
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 32A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 460W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP32N50KPBF
仓库库存编号:
IRFP32N50KPBF-ND
别名:*IRFP32N50KPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) TO-247AD(IXKH)
型号:
IXKH70N60C5
仓库库存编号:
IXKH70N60C5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 431W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT60N60BCSG
仓库库存编号:
APT60N60BCSG-ND
别名:APT60N60BCSGMI
APT60N60BCSGMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 156W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH7084TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7084TRPBFCT-ND
别名:IRFH7084TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB150NF55T4
仓库库存编号:
497-7934-1-ND
别名:497-7934-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH21N50
仓库库存编号:
IXTH21N50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 80A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 1300W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX80N60P3
仓库库存编号:
IXFX80N60P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 500W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK90N20Q
仓库库存编号:
IXFK90N20Q-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 64A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 1250W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK64N60Q3
仓库库存编号:
IXFK64N60Q3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 47A(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXKR47N60C5
仓库库存编号:
IXKR47N60C5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV
详细描述:表面贴装 N 沟道 170A(Tc) 960W(Tc) TO-268HV
型号:
IXFT170N25X3HV
仓库库存编号:
IXFT170N25X3HV-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B
详细描述:底座安装 N 沟道 170A(Tc) 390W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN170N25X3
仓库库存编号:
IXFN170N25X3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 66A(Tc) 960W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN80N60P3
仓库库存编号:
IXFN80N60P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 1250W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX64N60Q3
仓库库存编号:
IXFX64N60Q3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 568W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR64N60Q3
仓库库存编号:
IXFR64N60Q3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.6A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7461DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7461DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7461DP-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 190nC @ 10V,
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