产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Diodes Incorporated (8)
Infineon Technologies (10)
Nexperia USA Inc. (3)
NXP USA Inc. (5)
Fairchild/ON Semiconductor (3)
ON Semiconductor (10)
Sanken (2)
STMicroelectronics (12)
Toshiba Semiconductor and Storage (3)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 11.4A (Ta) 1.8W 8-SO
型号:
DMPH4015SSS-13
仓库库存编号:
DMPH4015SSS-13-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 2.6W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMPH4015SPSQ-13
仓库库存编号:
DMPH4015SPSQ-13-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
搜索
Sanken
MOSFET N-CH 75V 85A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 85A(Tc) 135W(Tc) TO-220-3
型号:
EKI07076
仓库库存编号:
EKI07076-ND
别名:EKI07076 DK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
搜索
Sanken
MOSFET N-CH 75V 85A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 85A(Tc) 135W(Tc) TO-263
型号:
SKI07074
仓库库存编号:
SKI07074CT-ND
别名:SKI07074CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 56A 8SOP-ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Ta) 1.6W(Ta),70W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8055-H,LQ(M
仓库库存编号:
TPCA8055-HLQ(M-ND
别名:TPCA8055-HLQ(M
TPCA8055HLQM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta),235A(Tc) 3.8W(Ta), 167W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5C612NLT3G
仓库库存编号:
NTMFS5C612NLT3G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta),235A(Tc) 3.8W(Ta), 167W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5C612NLT1G
仓库库存编号:
NTMFS5C612NLT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta),235A(Tc) 3.8W(Ta), 167W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C612NLT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C612NLT3G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Ta),250A(Tc) 3.8W(Ta), 167W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C612NLAFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C612NLAFT3G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta),235A(Tc) 3.8W(Ta), 167W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C612NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C612NLWFT3G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Ta),250A(Tc) 3.8W(Ta), 167W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C612NLWFAFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C612NLWFAFT3G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta),235A(Tc) 3.8W(Ta), 167W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C612NLT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C612NLT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Ta),250A(Tc) 3.8W(Ta), 167W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C612NLAFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C612NLAFT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta),235A(Tc) 3.8W(Ta), 167W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C612NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C612NLWFT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Ta),250A(Tc) 3.8W(Ta), 167W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C612NLWFAFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C612NLWFAFT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 120A(Tc) 190W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N10S405ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N10S405ATMA1-ND
别名:SP001102592
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 190W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI120N10S405AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N10S405AKSA1-ND
别名:SP001102622
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 190W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N10S405AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N10S405AKSA1-ND
别名:SP001102616
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 43A TO-262-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 43A(Tc) TO-262
型号:
IRFSL38N20DPBF
仓库库存编号:
IRFSL38N20DPBF-ND
别名:SP001557568
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 25A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 25A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
STP30NM60N
仓库库存编号:
497-8447-5-ND
别名:497-8447-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 25A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB30NM60N
仓库库存编号:
497-8474-1-ND
别名:497-8474-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 25A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 25A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF30NM60N
仓库库存编号:
STF30NM60N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 25A(Tc) 190W(Tc) I2PAK
型号:
STI30NM60N
仓库库存编号:
STI30NM60N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7506-75B,127
仓库库存编号:
568-6619-5-ND
别名:568-6619
568-6619-5
568-6619-ND
934057109127
BUK7506-75B
BUK7506-75B,127-ND
BUK7506-75B-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
详细描述:通孔 N 沟道 60V 35A(Ta) 35W(Tc) TO-220NIS
型号:
2SK3662(F)
仓库库存编号:
2SK3662(F)-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 91nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
3
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号