产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 33A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3303CPBF
仓库库存编号:
IRFR3303CPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.4A(Ta),63A(Tc) 114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC152N10NSFGATMA1
仓库库存编号:
BSC152N10NSFGATMA1TR-ND
别名:BSC152N10NSF G
BSC152N10NSF G-ND
SP000379601
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 100W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4020PBF
仓库库存编号:
IRFSL4020PBF-ND
别名:SP001565208
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17A(Ta),71A(Tc) 2.3W(Ta),42W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB053N03LP G
仓库库存编号:
BSB053N03LP G-ND
别名:SP000597830
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta),71A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF053N03LT G
仓库库存编号:
BSF053N03LT G-ND
别名:SP000597832
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 25A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD600N25N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD600N25N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD600N25N3 GCT
IPD600N25N3 GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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