产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.5A TO-220FI
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.9A(Tc) 2W(Ta),35W(Tc) TO-220FI(LS)
型号:
2SK4099LS
仓库库存编号:
2SK4099LS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta) 3.6W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4304
仓库库存编号:
785-1283-1-ND
别名:785-1283-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta),40A(Tc) 3.1W(Ta),36W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7788
仓库库存编号:
785-1406-1-ND
别名:785-1406-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 450V 14A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 450V 14A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK4512DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK4512DPE-00#J3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 12A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK5012DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK5012DPE-00#J3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 12A(Ta) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK5012DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK5012DPP-E0#T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 11A TO-3
详细描述:通孔 P 沟道 100V 11A(Tc) 4W(Ta),75W(Tc) TO-204AA(TO-3)
型号:
JAN2N6804
仓库库存编号:
JAN2N6804-ND
别名:JAN2N6804-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 11A
详细描述:通孔 P 沟道 100V 11A(Tc) 4W(Ta),75W(Tc) TO-204AA(TO-3)
型号:
JANTXV2N6804
仓库库存编号:
JANTXV2N6804-ND
别名:JANTXV2N6804-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V TO-204AA TO-3
详细描述:通孔 P 沟道 100V 11A(Tc) 4W(Ta),75W(Tc) TO-204AA(TO-3)
型号:
2N6804
仓库库存编号:
2N6804-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 9.9A(Ta),50A(Tc) 115W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD13AN06A0_F085
仓库库存编号:
FDD13AN06A0_F085-5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.5A
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.9A(Tc) 2W(Ta),35W(Tc) TO-220F-3FS
型号:
2SK4099LS-1E
仓库库存编号:
2SK4099LS-1E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 33A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
94-4737
仓库库存编号:
94-4737-ND
别名:*IRFR3303
IRFR3303
IRFR3303-ND
SP001517800
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 33A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3303TR
仓库库存编号:
IRFR3303TR-ND
别名:SP001572808
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 33A(Tc) 57W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3303
仓库库存编号:
IRFU3303-ND
别名:*IRFU3303
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 150V 14A(Tc) 86W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU13N15D
仓库库存编号:
IRFU13N15D-ND
别名:*IRFU13N15D
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 33A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3303TRL
仓库库存编号:
IRFR3303TRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 33A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3303TRR
仓库库存编号:
IRFR3303TRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 14A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N15DTR
仓库库存编号:
IRFR13N15DTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 14A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N15DTRL
仓库库存编号:
IRFR13N15DTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 14A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N15DTRR
仓库库存编号:
IRFR13N15DTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5.5A(Ta) 2W(Ta) P-TSOP6-6
型号:
BSL307SP
仓库库存编号:
BSL307SPINTR-ND
别名:BSL307SPINTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 33A(Tc) 57W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3303PBF
仓库库存编号:
IRFU3303PBF-ND
别名:*IRFU3303PBF
SP001567700
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5.5A(Ta) 2W(Ta) P-TSOP6-6
型号:
BSL307SPT
仓库库存编号:
BSL307SPT-ND
别名:SP000012585
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 96W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R299CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI60R299CPXKSA1-ND
别名:IPI60R299CP
IPI60R299CP-ND
IPI60R299CPAKSA1
IPI60R299CPX
IPI60R299CPXK
SP000103249
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5.5A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP6-6
型号:
BSL307SPL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSL307SPL6327HTSA1CT-ND
别名:BSL307SPL6327INCT
BSL307SPL6327INCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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