产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 25A(Ta) 60W(Tc) TO-220-3
型号:
TK25E06K3,S1X(S
仓库库存编号:
TK25E06K3S1X(S-ND
别名:TK25E06K3S1X(S
TK25E06K3S1XS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 200W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA12N50P
仓库库存编号:
IXTA12N50P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
FCP9N60N IN TO220 F102 T/F OPTIO
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 83.3W(Tc) TO-220F
型号:
FCP9N60N_F102
仓库库存编号:
FCP9N60N_F102-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP12N50P
仓库库存编号:
IXFP12N50P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP12N50PM
仓库库存编号:
IXFP12N50PM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP12N50PM
仓库库存编号:
IXTP12N50PM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 200W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA12N50P
仓库库存编号:
IXFA12N50P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP12N50P
仓库库存编号:
IXTP12N50P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 29.8W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FCPF9N60NTYDTU
仓库库存编号:
FCPF9N60NTYDTU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 330W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA16N50P3
仓库库存编号:
IXFA16N50P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 330W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH16N50P3
仓库库存编号:
IXFH16N50P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 11A TO-204AA
详细描述:通孔 P 沟道 100V 11A(Tc) 4W(Ta),75W(Tc) TO-204AA
型号:
JANTX2N6804
仓库库存编号:
1088-1031-ND
别名:1088-1031
1088-1031-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 14A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N15DTRPBF
仓库库存编号:
IRFR13N15DTRPBF-ND
别名:SP001571424
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Tc) 96W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R299CP
仓库库存编号:
IPB60R299CPCT-ND
别名:IPB60R299CPCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Tc) 96W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R299CPAATMA1
仓库库存编号:
IPB60R299CPAATMA1-ND
别名:SP000539970
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 250V 25A(Tc) 136W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI600N25N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI600N25N3GAKSA1-ND
别名:IPI600N25N3 G
IPI600N25N3 G-ND
IPI600N25N3G
SP000714316
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 33W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R299CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R299CPXKSA1-ND
别名:IPA60R299CP
IPA60R299CP-ND
SP000096438
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 34A(Tc) 136W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI320N20N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI320N20N3GAKSA1-ND
别名:IPI320N20N3 G
IPI320N20N3 G-ND
IPI320N20N3G
SP000714312
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 34A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD320N20N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD320N20N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD320N20N3 GCT
IPD320N20N3 GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
STP4NB80
仓库库存编号:
497-2781-5-ND
别名:497-2781-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 25W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI11NM65N
仓库库存编号:
497-13388-5-ND
别名:497-13388-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 600V 18A(Tc) 48W(Tc) TO-3PF
型号:
STFW24N60M2
仓库库存编号:
497-15009-5-ND
别名:497-15009-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 79W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN3R7-30YLC,115
仓库库存编号:
568-6735-1-ND
别名:568-6735-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 7.7A(Ta) 2.15W(Ta) TO-252-3
型号:
ZXMN6A09KTC
仓库库存编号:
ZXMN6A09KTCCT-ND
别名:ZXMN6A09KTCCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 200V 6.5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9630
仓库库存编号:
IRF9630-ND
别名:*IRF9630
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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