产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 14A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
IRF644NS
仓库库存编号:
IRF644NS-ND
别名:*IRF644NS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 250V 14A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF644N
仓库库存编号:
IRF644N-ND
别名:*IRF644N
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 14A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
IRF644NSTRL
仓库库存编号:
IRF644NSTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 14A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
IRF644NSTRR
仓库库存编号:
IRF644NSTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 250V 14A(Tc) 150W(Tc) I2PAK
型号:
IRF644NLPBF
仓库库存编号:
IRF644NLPBF-ND
别名:*IRF644NLPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 250V 14A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF644NPBF
仓库库存编号:
IRF644NPBF-ND
别名:*IRF644NPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 14A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
IRF644NSPBF
仓库库存编号:
IRF644NSPBF-ND
别名:*IRF644NSPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 14A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
IRF644NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF644NSTRLPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5.8A(Tc) 55W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF12N60T
仓库库存编号:
FQPF12N60T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10.5A(Tc) 180W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP12N60
仓库库存编号:
FQP12N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 10.5A(Tc) 3.13W(Ta),180W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB12N60TM_AM002
仓库库存编号:
FQB12N60TM_AM002-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10.5A(Tc) 3.13W(Ta),180W(Tc) I2PAK
型号:
FQI12N60TU
仓库库存编号:
FQI12N60TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 240W(Tc) TO-3P
型号:
FQA12N60
仓库库存编号:
FQA12N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.8A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.8A(Tc) 100W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF12N60
仓库库存编号:
FQAF12N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5.8A(Tc) 55W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF12N60
仓库库存编号:
FQPF12N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 20.5A(Tc) 3.6W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4108DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4108DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4108DY-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 90A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 90A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP90N075T2
仓库库存编号:
IXTP90N075T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 17A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 100V 17A(Tc) 132W(Tc) TO-220-3
型号:
SFP9540
仓库库存编号:
SFP9540-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 65A(Ta) 50W(Tc) ATPAK
型号:
ATP207-TL-H
仓库库存编号:
869-1082-1-ND
别名:869-1082-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 50A(Tc) TO-220-3
型号:
TK50E06K3A,S1X(S
仓库库存编号:
TK50E06K3AS1X(S-ND
别名:TK50E06K3AS1X(S
TK50E06K3AS1XS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 36A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 36A(Tc) 1.8W(Ta),56W(Tc) TO-263
型号:
NP36P06KDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP36P06KDG-E1-AYCT-ND
别名:NP36P06KDG-E1-AYCT
NP36P06KDGE1AY
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8.2A(Ta),60A(Tc) 2.6W(Ta),150W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB412L
仓库库存编号:
AOB412L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP11N60S5HKSA1
仓库库存编号:
SPP11N60S5HKSA1-ND
别名:SPP11N60S5
SPP11N60S5IN
SPP11N60S5IN-ND
SPP11N60S5X
SPP11N60S5XTIN
SPP11N60S5XTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 5.2A(Ta) 3W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7494TR
仓库库存编号:
IRF7494TRCT-ND
别名:*IRF7494TR
IRF7494TRCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 73A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 73A(Tc) 166W(Tc) D2PAK
型号:
PHB73N06T,118
仓库库存编号:
PHB73N06T,118-ND
别名:934056645118
PHB73N06T /T3
PHB73N06T /T3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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