产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 28A
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
STB37N60DM2AG
仓库库存编号:
497-16105-1-ND
别名:497-16105-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 60V 26A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 26A(Tc) 2.5W(Ta),60W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD409
仓库库存编号:
785-1103-1-ND
别名:785-1103-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 192W(Tc) TO-247-3
型号:
STW20NM60
仓库库存编号:
497-3263-5-ND
别名:497-3263-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIJ478DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIJ478DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIJ478DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 28A
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF35N60DM2
仓库库存编号:
497-16358-5-ND
别名:497-16358-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 28A
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 210W(Tc) TO-220
型号:
STP35N60DM2
仓库库存编号:
497-16359-5-ND
别名:497-16359-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 28A
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 210W(Tc) TO-247
型号:
STW37N60DM2AG
仓库库存编号:
497-16103-5-ND
别名:497-16103-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 28A
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 210W(Tc) TO-247
型号:
STW35N60DM2
仓库库存编号:
497-16356-5-ND
别名:497-16356-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 51A(Tc) 117W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN016-100YS,115
仓库库存编号:
1727-4625-1-ND
别名:1727-4625-1
568-5579-1
568-5579-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 180W(Tc) TO-247(IXFH)
型号:
IXFH12N50F
仓库库存编号:
IXFH12N50F-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 6A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 180W(Tc) TO-268(IXFT)
型号:
IXFT6N100F
仓库库存编号:
IXFT6N100F-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 2.8W(Ta),63W(Tc) 8-VSONP(3x3.15)
型号:
CSD17581Q3AT
仓库库存编号:
296-45025-1-ND
别名:296-45025-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 65A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 65A(Tc) 100W(Tj) Power56
型号:
FDMS86569_F085
仓库库存编号:
FDMS86569_F085CT-ND
别名:FDMS86569_F085CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 25.4A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SO
型号:
SI4160DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4160DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4160DY-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
STD95N4F3
仓库库存编号:
497-6024-1-ND
别名:497-6024-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 28A
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
STB35N60DM2
仓库库存编号:
497-16357-1-ND
别名:497-16357-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta) 3.6W(Ta),160W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH7185TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7185TRPBFCT-ND
别名:IRFH7185TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 90A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 180W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA90N075T2
仓库库存编号:
IXTA90N075T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 32A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 500W(Tc) TO-220-3
型号:
IXTP32N65X
仓库库存编号:
IXTP32N65X-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 14A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 78W(Tc) TO-220-3
型号:
IXTP32N65XM
仓库库存编号:
IXTP32N65XM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 32A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 500W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH32N65X
仓库库存编号:
IXTH32N65X-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
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Texas Instruments
30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),123A(Tc) 3.1W(Ta), 83W(Tc) 8-VSONP(5x6)
型号:
CSD17581Q5AT
仓库库存编号:
296-44867-1-ND
别名:296-44867-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP95N4F3
仓库库存编号:
497-7536-5-ND
别名:497-7536-5
STP95N4F3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 6A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 180W(Tc) TO-247(IXFH)
型号:
IXFH6N100F
仓库库存编号:
IXFH6N100F-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP1M020A050N
仓库库存编号:
1560-1191-5-ND
别名:1560-1191-1
1560-1191-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V,
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