产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
IXYS (22)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 180A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN180N10
仓库库存编号:
IXFN180N10-ND
别名:479462
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 90A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 560W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX90N30
仓库库存编号:
IXFX90N30-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 120A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN120N20
仓库库存编号:
IXFN120N20-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 73A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN73N30
仓库库存编号:
IXFN73N30-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 150A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 150V 150A(Tc) 560W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX150N15
仓库库存编号:
IXFX150N15-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 120A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 250V 120A(Tc) 730W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK120N25
仓库库存编号:
IXTK120N25-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 73A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 300V 73A(Tc) 500W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK73N30
仓库库存编号:
IXFK73N30-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 150A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 150V 150A(Tc) 560W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK150N15
仓库库存编号:
IXFK150N15-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 75A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 75A(Tc) 417W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR90N30
仓库库存编号:
IXFR90N30-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 105A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 150V 105A(Tc) 400W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR150N15
仓库库存编号:
IXFR150N15-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 105A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 105A(Tc) 417W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR120N20
仓库库存编号:
IXFR120N20-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 90A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 300V 90A(Tc) 560W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK90N30
仓库库存编号:
IXFK90N30-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 150A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 100V 150A(Tc) 500W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK150N10
仓库库存编号:
IXFK150N10-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 500W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK100N10
仓库库存编号:
IXFK100N10-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 176A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 176A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE180N10
仓库库存编号:
IXFE180N10-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 250V 120A(Tc) 730W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN120N25
仓库库存编号:
IXTN120N25-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 300V 90A(Tc) 560W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN90N30
仓库库存编号:
IXFN90N30-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 44A(Tc) 380W(Tc) SOT-227B
型号:
IXKN45N80C
仓库库存编号:
IXKN45N80C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 24A(Tc) 520W(Tc) ISOPLUSi5-Pak?
型号:
IXFL32N120P
仓库库存编号:
IXFL32N120P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 32A(Tc) 1000W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN32N120P
仓库库存编号:
IXFN32N120P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 150A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN150N10
仓库库存编号:
IXFN150N10-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
含铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 150V 150A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN150N15
仓库库存编号:
IXFN150N15-ND
别名:Q3181657
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 360nC @ 10V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号