产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) TO-262
型号:
IRF520NLPBF
仓库库存编号:
IRF520NLPBF-ND
别名:*IRF520NLPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.4A(Ta) 48W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120NCPBF
仓库库存编号:
IRFR120NCPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.4A(Ta) 48W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120NCTRLPBF
仓库库存编号:
IRFR120NCTRLPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 45A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD135N08N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD135N08N3GBTMA1TR-ND
别名:IPD135N08N3 G
IPD135N08N3 G-ND
SP000454266
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 45A(Tc) 79W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI139N08N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI139N08N3GHKSA1-ND
别名:IPI139N08N3 G
IPI139N08N3 G-ND
SP000457714
SP000680716
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 10A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 550V 10A(Tc) 89W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R350CP
仓库库存编号:
IPI50R350CP-ND
别名:SP000236084
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 45A(Tc) 79W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP139N08N3 G
仓库库存编号:
IPP139N08N3 G-ND
别名:IPP139N08N3G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPS04N60C3BKMA1
仓库库存编号:
SPS04N60C3BKMA1-ND
别名:SP000086711
SP000307419
SPS04N60C3
SPS04N60C3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 45A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB136N08N3 G
仓库库存编号:
IPB136N08N3 GCT-ND
别名:IPB136N08N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD180N10N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD180N10N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD180N10N3 GCT
IPD180N10N3 GCT-ND
IPD180N10N3GBTMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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