产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Infineon Technologies (60)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA50R350CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA50R350CPXKSA1-ND
别名:IPA50R350CP
IPA50R350CP-ND
SP000236078
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 72W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R180P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R180P7ATMA1CT-ND
别名:IPD60R180P7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),63W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ160N10NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSZ160N10NS3GATMA1CT-ND
别名:BSZ160N10NS3 GINCT
BSZ160N10NS3 GINCT-ND
BSZ160N10NS3GATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 19A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),52W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ034N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSZ034N04LSATMA1CT-ND
别名:BSZ034N04LSATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
CONSUMER
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 18A(Tc) 72W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R180P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R180P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD60R180P7SAUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 18A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 26W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R180P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R180P7SXKSA1-ND
别名:SP001606066
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 22A(Ta),69A(Tc) 2.2W(Ta),28W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF035NE2LQXUMA1
仓库库存编号:
BSF035NE2LQXUMA1-ND
别名:SP001034234
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 40A(Tc) 63W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ084N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSZ084N08NS5ATMA1-ND
别名:SP001227056
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI180N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI180N10N3GXKSA1-ND
别名:IPI180N10N3 G
IPI180N10N3 G-ND
IPI180N10N3G
SP000683076
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 10A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 550V 10A(Tc) 89W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R350CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP50R350CPXKSA1-ND
别名:IPP50R350CP
IPP50R350CPIN
IPP50R350CPIN-ND
IPP50R350CPXK
SP000680940
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 500V 10A(Tc) 89W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R350CPHKSA1
仓库库存编号:
IPP50R350CPHKSA1-ND
别名:SP000236069
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 28A(Tc) 30W(Tc) PG-TO220FP
型号:
IPA180N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPA180N10N3GXKSA1-ND
别名:IPA1-ND80N10N3GXKSA1-ND
IPA180N10N3 G
IPA180N10N3 G-ND
IPA180N10N3G
SP000480108
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP04N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP04N60C3XKSA1-ND
别名:SP000681024
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 550V 10A(Tc) 89W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW50R350CPFKSA1
仓库库存编号:
IPW50R350CPFKSA1-ND
别名:IPW50R350CP
IPW50R350CP-ND
SP000301164
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.3A(Ta) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7204TR
仓库库存编号:
IRF7204CT-ND
别名:*IRF7204TR
IRF7204CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 48W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF520N
仓库库存编号:
IRF520N-ND
别名:*IRF520N
SP001571320
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL4310TR
仓库库存编号:
IRFL4310CT-ND
别名:*IRFL4310TR
IRFL4310CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 7.6A(Tc) 30W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI520N
仓库库存编号:
IRFI520N-ND
别名:*IRFI520N
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520NS
仓库库存编号:
IRF520NS-ND
别名:*IRF520NS
SP001559622
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.6A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7326D2TR
仓库库存编号:
IRF7326D2CT-ND
别名:IRF7326D2CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) TO-262
型号:
IRF520NL
仓库库存编号:
IRF520NL-ND
别名:*IRF520NL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520NSTRL
仓库库存编号:
IRF520NSTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520NSTRR
仓库库存编号:
IRF520NSTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP04N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP04N60C3HKSA1-ND
别名:SPP04N60C3
SPP04N60C3IN
SPP04N60C3IN-ND
SPP04N60C3X
SPP04N60C3XK
SPP04N60C3XTIN
SPP04N60C3XTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04N60C3BTMA1
仓库库存编号:
SPD04N60C3BTMA1CT-ND
别名:SPD04N60C3INCT
SPD04N60C3INCT-ND
SPD04N60C3XTINCT
SPD04N60C3XTINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
3
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号