产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 1.49A(Ta) 700mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2303BDS-T1
仓库库存编号:
SI2303BDS-T1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.6A(Tc) 58W(Tc) I-Pak
型号:
NDD03N50Z-1G
仓库库存编号:
NDD03N50Z-1GOS-ND
别名:NDD03N50Z-1G-ND
NDD03N50Z-1GOS
NDD03N50Z1G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH QFN3333
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Tc) 37W(Tc) 8-DFN3333(3.3x3.3)
型号:
PSMN017-30LL,115
仓库库存编号:
568-5580-1-ND
别名:568-5580-1
PSMN01730LL115
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 1.49A(Ta) 700mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2303BDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2303BDS-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 4.5A CPH6
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 4.5A(Ta) 1.6W(Ta) 6-CPH
型号:
CPH6444-TL-E
仓库库存编号:
CPH6444-TL-E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 5A MCPH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5A(Ta) 1.5W(Ta) 6-MCPH
型号:
MCH6341-TL-E
仓库库存编号:
MCH6341-TL-E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 14A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta),24A(Tc) 1.9W(Ta),31W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6204
仓库库存编号:
785-1399-1-ND
别名:785-1399-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 5A MCPH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5A(Ta) 1.5W(Ta) 6-MCPH
型号:
MCH6341-TL-H
仓库库存编号:
MCH6341-TL-H-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.3A(Ta) 1.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDFMA3P029Z
仓库库存编号:
FDFMA3P029ZCT-ND
别名:FDFMA3P029ZCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 2A 4WLCSP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2A(Ta) 600mW(Ta) 4-AphaDFN(0.97x0.97)
型号:
AOC2423
仓库库存编号:
AOC2423-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.8A(Ta) 800mW(Ta),8.3W(Tc) SOT-223
型号:
PMT200EN,135
仓库库存编号:
568-10826-1-ND
别名:568-10826-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 3.1A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.1A(Ta) 380mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV37EN,215
仓库库存编号:
568-10835-1-ND
别名:568-10835-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2A(Tc) 52W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD2C60
仓库库存编号:
785-1662-1-ND
别名:785-1662-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 75V 10A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 2.5A(Ta),10A(Tc) 2.1W(Ta),28.5W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD474B
仓库库存编号:
AOD474B-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8.7A(Tc) 35W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120Z
仓库库存编号:
IRFR120Z-ND
别名:*IRFR120Z
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 8.7A(Tc) 35W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU120Z
仓库库存编号:
IRFU120Z-ND
别名:*IRFU120Z
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8.7A(Tc) 35W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120ZTR
仓库库存编号:
IRFR120ZTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8.7A(Tc) 35W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120ZTRL
仓库库存编号:
IRFR120ZTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 8.7A(Tc) 35W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU120ZPBF
仓库库存编号:
IRFU120ZPBF-ND
别名:*IRFU120ZPBF
SP001578408
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 2.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP615S2L
仓库库存编号:
BSP615S2L-ND
别名:BSP615S2LT
SP000013181
SP000440622
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 30W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD14N06S2-80
仓库库存编号:
SPD14N06S2-80-ND
别名:SP000013575
SPD14N06S280T
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 16A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD800N06NGBTMA1
仓库库存编号:
IPD800N06NGBTMA1CT-ND
别名:IPD800N06NG
IPD800N06NGINCT
IPD800N06NGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD135N03LGXT
仓库库存编号:
IPD135N03LGXTCT-ND
别名:IPD135N03LGINCT
IPD135N03LGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 20A(Tc) 31W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP147N03L G
仓库库存编号:
IPP147N03LGIN-ND
别名:IPP147N03LGIN
IPP147N03LGXK
SP000266315
SP000680874
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS135N03LGAKMA1
仓库库存编号:
IPS135N03LGAKMA1-ND
别名:IPS135N03L G
IPS135N03LGIN
IPS135N03LGIN-ND
IPS135N03LGXK
SP000257455
SP000788220
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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