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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 140A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 600W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH140N10P
  仓库库存编号：IXFH140N10P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 140A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 140A（Tc） 600W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT140N10P
  仓库库存编号：IXFT140N10P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 800V 11A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 11A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH11N80
  仓库库存编号：IXFH11N80-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 200V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 60A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH60N20
  仓库库存编号：IXFH60N20-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 900V 13A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 13A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH13N90
  仓库库存编号：IXFH13N90-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT10N100
  仓库库存编号：IXFT10N100-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH10N100Q
  仓库库存编号：IXFH10N100Q-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH12N90
  仓库库存编号：IXFH12N90-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12.5A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH13N100
  仓库库存编号：IXFH13N100-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT12N100
  仓库库存编号：IXFT12N100-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 163W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR8405TRL
  仓库库存编号：IFAUIRFR8405TRL-ND
  别名：IFAUIRFR8405TRL
  SP001522904
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 163W（Tc） I-Pak
  
  型号：AUIRFU8405
  仓库库存编号：IRAUIRFU8405-ND
  别名：IRAUIRFU8405
  SP001516840
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S2H5AKSA2
  仓库库存编号：IPP80N06S2H5AKSA2-ND
  别名：SP001063646
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
  
  型号：STB80NF55-08-1
  仓库库存编号：497-3516-5-ND
  别名：497-3516-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 12A（Tc） 230W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW13NK80Z
  仓库库存编号：STW13NK80Z-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 10A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH10N90
  仓库库存编号：IXFH10N90-ND
  
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  MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH10N100
  仓库库存编号：IXFH10N100-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 12.5A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT13N100
  仓库库存编号：IXFT13N100-ND
  别名：Q2093962
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 60A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC60N20
  仓库库存编号：IXFC60N20-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 175V 150A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 175V 150A（Tc） 830W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH150N17T
  仓库库存编号：IXFH150N17T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 175V 150A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 175V 150A（Tc） 830W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH150N17T
  仓库库存编号：IXTH150N17T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 40A LFPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 40A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT1072H-EL-E
  仓库库存编号：HAT1072H-EL-E-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 25A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Ta），85A（Tc） 2.1W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6404
  仓库库存编号：AON6404-ND
  别名：AON6404L
  AON6404L-ND
  AON6704
  AON6704-ND
  Q5843524
  T1419663
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7156DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7156DP-T1-E3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7156DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7156DP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 10V,
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