产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 20A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 200V 20A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP240
仓库库存编号:
IRFP240-ND
别名:*IRFP240
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 48A(Tc) 100W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
NDB6060
仓库库存编号:
NDB6060TR-ND
别名:NDB6060TR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRF640S
仓库库存编号:
IRF640S-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9.8A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI640G
仓库库存编号:
IRFI640G-ND
别名:*IRFI640G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 180W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPC50A
仓库库存编号:
IRFPC50A-ND
别名:*IRFPC50A
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) I2PAK
型号:
IRF640L
仓库库存编号:
IRF640L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRF640STRL
仓库库存编号:
IRF640STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRF640STRR
仓库库存编号:
IRF640STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7A(Ta) 830mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS4404NR2
仓库库存编号:
NTMS4404NR2OSCT-ND
别名:NTMS4404NR2OSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220-5
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 125W(Tc) TO-220-5
型号:
IRC640PBF
仓库库存编号:
IRC640PBF-ND
别名:*IRC640PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) TO-262-3
型号:
IRF640LPBF
仓库库存编号:
IRF640LPBF-ND
别名:*IRF640LPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 16A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 167W(Tc) TO-3P
型号:
FCA16N60
仓库库存编号:
FCA16N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 30A(Tc) 460W(Tc) PLUS220
型号:
IXTV30N50P
仓库库存编号:
IXTV30N50P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 30A(Tc) 460W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXTV30N50PS
仓库库存编号:
IXTV30N50PS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 30A(Tc) 460W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV30N50P
仓库库存编号:
IXFV30N50P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 30A(Tc) 460W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV30N50PS
仓库库存编号:
IXFV30N50PS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 7A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4435BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4435BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4435BDY-T1-E3CT
SI4435BDYT1E3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 9A(Ta) 1.85W(Ta) 8-SO
型号:
SI4470EY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4470EY-T1-E3CT-ND
别名:SI4470EY-T1-E3CT
SI4470EYT1E3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 16A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 167W(Tc) TO-3PN
型号:
FCA16N60_F109
仓库库存编号:
FCA16N60_F109-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 32A(Tc) 5.2W(Ta),64W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7186DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7186DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7186DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Ta) 60W(Tc) ATPAK
型号:
ATP204-TL-H
仓库库存编号:
869-1080-1-ND
别名:869-1080-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH ISOPLUS-220
详细描述:通孔 N 沟道 150V 36A(Tc) 150W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXTC62N15P
仓库库存编号:
IXTC62N15P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 9A(Ta) 1.85W(Ta) 8-SO
型号:
SI4470EY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4470EY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4470EY-T1-GE3CT
SI4470EYT1GE3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 32A(Tc) 5.2W(Ta),64W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7186DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7186DP-T1-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 45A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 45A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP45N03-13L-E3
仓库库存编号:
SUP45N03-13L-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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