产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 62A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 62A(Tc) 350W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ62N15P
仓库库存编号:
IXTQ62N15P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 460W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH30N50P
仓库库存编号:
IXTH30N50P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 460W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ30N50P
仓库库存编号:
IXTQ30N50P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 25A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 208W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R125CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI60R125CPXKSA1-ND
别名:IPI60R125CP
IPI60R125CP-ND
SP000297355
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 460W(Tc) TO-268
型号:
IXFT30N50P
仓库库存编号:
IXFT30N50P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH ISOPLUS-247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 150W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR62N15P
仓库库存编号:
IXTR62N15P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXKC19N60C5
仓库库存编号:
IXKC19N60C5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) TO-247AD(IXKH)
型号:
IXKH30N60C5
仓库库存编号:
IXKH30N60C5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 460W(Tc) TO-268
型号:
IXTT30N50P
仓库库存编号:
IXTT30N50P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 600V 35A(Tc) TO-247AD(IXKH)
型号:
IXKH35N60C5
仓库库存编号:
IXKH35N60C5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 35A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 35A(Tc) TO-220AB
型号:
IXKP35N60C5
仓库库存编号:
IXKP35N60C5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 72A(Tc) 75W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB70P04P409ATMA1
仓库库存编号:
IPB70P04P409ATMA1-ND
别名:SP000735964
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 72A(Tc) 75W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI70P04P409AKSA1
仓库库存编号:
IPI70P04P409AKSA1-ND
别名:SP000735974
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N08S406ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N08S406ATMA1-ND
别名:SP000984296
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N08S406AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N08S406AKSA1-ND
别名:SP000984298
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80N08S406AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N08S406AKSA1-ND
别名:SP000984300
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 600V 37.9A(Tc) 219W(Tc) PG-TO247-4
型号:
IPZ60R125P6FKSA1
仓库库存编号:
IPZ60R125P6FKSA1-ND
别名:SP001313884
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-4
详细描述:通孔 P 沟道 600V 37.9A(Tc) 278W(Tc) PG-TO247-4
型号:
IPZ60R099P6FKSA1
仓库库存编号:
IPZ60R099P6FKSA1-ND
别名:SP001313882
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 19A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 19A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
STP24NM65N
仓库库存编号:
497-7026-5-ND
别名:497-7026-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 11A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
STW11NB80
仓库库存编号:
497-2789-5-ND
别名:497-2789-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 19A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 19A(Tc) 160W(Tc) TO-247-3
型号:
STW24NM65N
仓库库存编号:
497-7035-5-ND
别名:497-7035-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 19.5A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 19.5A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
STW23NM60ND
仓库库存编号:
497-8454-5-ND
别名:497-8454-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 19.5A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 19.5A(Tc) 150W(Tc) I2PAK
型号:
STI23NM60ND
仓库库存编号:
STI23NM60ND-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 19A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 650V 19A(Tc) 160W(Tc) I2PAK
型号:
STI24NM65N
仓库库存编号:
STI24NM65N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 19A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 19A(Tc) 160W(Tc) TO-247-3
型号:
STW20NM65N
仓库库存编号:
STW20NM65N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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