产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 8.2A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8.2A(Ta),50A(Tc) 3W(Ta),136.4W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N10-18P-E3
仓库库存编号:
SUD50N10-18P-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 70A(Tc) 3.75W(Ta),100W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM70N04-07L-E3
仓库库存编号:
SUM70N04-07L-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 60A(Tc) 3.75W(Ta),150W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP60N10-18P-E3
仓库库存编号:
SUP60N10-18P-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 10A TO-3PB
详细描述:通孔 N 沟道 900V 10A(Ta) 2.5W(Ta),190W(Tc) TO-3PB
型号:
2SK4210
仓库库存编号:
2SK4210-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 1.8W(Ta),120W(Tc) TO-263
型号:
NP80N055KLE-E1-AY
仓库库存编号:
NP80N055KLE-E1-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 12A TO-3PB
详细描述:通孔 N 沟道 800V 12A(Ta) 2.5W(Ta),190W(Tc) TO-3PB
型号:
2SK4209
仓库库存编号:
2SK4209-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 13A TO262F
详细描述:通孔 N 沟道 60V 13A(Ta),51A(Tc) 2.1W(Ta),33.3W(Tc) TO-262F
型号:
AOWF2606
仓库库存编号:
785-1448-5-ND
别名:785-1448-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 900V 10A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 10A(Tc) 403W(Tc) TO-247
型号:
AOK10N90
仓库库存编号:
AOK10N90-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 900V 10A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 10A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF10N90
仓库库存编号:
AOTF10N90-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 20A(Tc) 290W(Tc) D3Pak
型号:
APT20F50S
仓库库存编号:
APT20F50S-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 28A(Ta),50A(Tc) 4.2W(Ta),42W(Tc) 8-DFN-EP(3.3x3.3)
型号:
AON7440
仓库库存编号:
AON7440-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET NCH 60V 46A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 60V 14A(Ta),46A(Tc) 2.5W(Ta),150W(Tc) TO-251A
型号:
AOI2606
仓库库存编号:
785-1721-5-ND
别名:785-1721-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2307Z
仓库库存编号:
IRFR2307Z-ND
别名:*IRFR2307Z
SP001552080
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2307ZPBF
仓库库存编号:
IRFR2307ZPBF-ND
别名:*IRFR2307ZPBF
SP001564942
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 45A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 45A(Tc) 65W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI45N06S3L-13
仓库库存编号:
IPI45N06S3L-13IN-ND
别名:IPI45N06S3L-13-ND
IPI45N06S3L-13IN
IPI45N06S3L13X
IPI45N06S3L13XK
SP000102216
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 45A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 45A(Tc) 65W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP45N06S3L-13
仓库库存编号:
IPP45N06S3L-13IN-ND
别名:IPP45N06S3L-13-ND
IPP45N06S3L-13IN
IPP45N06S3L13X
IPP45N06S3L13XK
SP000102215
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 45A(Tc) 65W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB45N06S3L-13
仓库库存编号:
IPB45N06S3L-13INCT-ND
别名:IPB45N06S3L-13INCT
IPB45N06S3L13
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU2307ZPBF
仓库库存编号:
IRFU2307ZPBF-ND
别名:SP001565178
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N03S4L04AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N03S4L04AKSA1-ND
别名:IPI80N03S4L-04
IPI80N03S4L-04-ND
SP000274983
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N03S4L04AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N03S4L04AKSA1-ND
别名:IPP80N03S4L-04
IPP80N03S4L-04-ND
SP000274981
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 255W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK753R4-30B,127
仓库库存编号:
568-6624-5-ND
别名:568-6624
568-6624-5
568-6624-ND
934060026127
BUK753R4-30B,127-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S4L07ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S4L07ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S4L-07
IPB80N06S4L-07-ND
SP000415572
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90N06S4L06ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N06S4L06ATMA1TR-ND
别名:IPD90N06S4L-06
IPD90N06S4L-06-ND
SP000415594
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N06S4L07AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N06S4L07AKSA1-ND
别名:IPI80N06S4L-07
IPI80N06S4L-07-ND
SP000415694
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S4L07AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S4L07AKSA1-ND
别名:IPP80N06S4L-07
IPP80N06S4L-07-ND
SP000415710
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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