产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 24A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT24N50
仓库库存编号:
IXFT24N50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 10A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 500V 10A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXTT10P50
仓库库存编号:
IXTT10P50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 20A(Tc) 780W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX20N120
仓库库存编号:
IXFX20N120-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 20A(Tc) 780W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK20N120
仓库库存编号:
IXFK20N120-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 20A(Tc) 780W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN20N120
仓库库存编号:
IXFN20N120-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 80A(Tc) 137W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80P03P4L04ATMA1
仓库库存编号:
IPB80P03P4L04ATMA1TR-ND
别名:IPB80P03P4L-04
IPB80P03P4L-04-ND
SP000396284
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
详细描述:通孔 P 沟道 30V 80A(Tc) 137W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80P03P4L04AKSA1
仓库库存编号:
IPI80P03P4L04AKSA1-ND
别名:IPI80P03P4L-04
IPI80P03P4L-04-ND
SP000396318
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S403ATMA2
仓库库存编号:
IPB120N06S403ATMA2-ND
别名:SP001028770
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 75A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF2807
仓库库存编号:
AUIRF2807-ND
别名:SP001522572
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 60A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP60NE06-16
仓库库存编号:
497-2770-5-ND
别名:497-2770-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 160A(Tc) 210W(Tc) 10-PowerSO
型号:
STV160NF02LT4
仓库库存编号:
497-3251-1-ND
别名:497-3251-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 160A(Tc) 210W(Tc) 10-PowerSO
型号:
STV160NF03LAT4
仓库库存编号:
STV160NF03LAT4-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB76NF80
仓库库存编号:
497-10566-1-ND
别名:497-10566-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 60V 70A(Tc) 230W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP054
仓库库存编号:
IRFP054-ND
别名:*IRFP054
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 14A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 450V 14A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP354
仓库库存编号:
IRFP354-ND
别名:*IRFP354
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 14A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 450V 14A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP354PBF
仓库库存编号:
IRFP354PBF-ND
别名:*IRFP354PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 29A(Tc) 460W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT8024JLL
仓库库存编号:
APT8024JLL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 31A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 31A(Tc) 565W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT8024LLLG
仓库库存编号:
APT8024LLLG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 200A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 200A(Tc) 430W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA200N075T
仓库库存编号:
IXTA200N075T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 200A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 200A(Tc) 430W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA200N075T7
仓库库存编号:
IXTA200N075T7-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 200A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 75V 200A(Tc) 430W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH200N075T
仓库库存编号:
IXTH200N075T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 200A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 200A(Tc) 430W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP200N075T
仓库库存编号:
IXTP200N075T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 180A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 55V 180A(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ180N055T
仓库库存编号:
IXTQ180N055T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 200A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 75V 200A(Tc) 430W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ200N075T
仓库库存编号:
IXTQ200N075T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 90A(Tc) 3.75W(Ta),300W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM90N08-4M8P-E3
仓库库存编号:
SUM90N08-4M8P-E3CT-ND
别名:SUM90N08-4M8P-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V,
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