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• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 21A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 500W（Tc） TO-264（IXFK）
  
  型号：IXFK21N100F
  仓库库存编号：IXFK21N100F-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7478DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7478DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7478DP-T1-E3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB75NF75T4
  仓库库存编号：497-15666-1-ND
  别名：497-15666-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE726DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE726DF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIE726DF-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 565W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT8024B2LLG
  仓库库存编号：APT8024B2LLG-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 31A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 565W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT8024LFLLG
  仓库库存编号：APT8024LFLLG-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7478DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7478DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7478DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Tc） 5.2W（Ta），83.3W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7469DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7469DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7469DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 37.1A（Tc） 8.3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50P10-43L-E3
  仓库库存编号：SUD50P10-43L-E3CT-ND
  别名：SUD50P10-43L-E3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） 3.75W（Ta），250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP85N10-10-E3
  仓库库存编号：SUP85N10-10-E3-ND
  别名：SUP85N10-10-E3CT
  SUP85N10-10-E3CT-ND
  SUP85N1010E3
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 180A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） TO-247
  
  型号：STW240N10F7
  仓库库存编号：STW240N10F7-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH240N10F7-2
  仓库库存编号：497-15143-1-ND
  别名：497-15143-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 250V 52A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 300W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW52NK25Z
  仓库库存编号：497-4428-5-ND
  别名：497-4428-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7758DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7758DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7758DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 37.1A（Tc） 8.3W（Ta），136W（Tc） TO-252
  
  型号：SUD50P10-43L-GE3
  仓库库存编号：SUD50P10-43L-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 82A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 82A（Tc） 1.8W（Ta），143W（Tc） TO-263
  
  型号：NP82N055PUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP82N055PUG-E1-AYTR-ND
  别名：NP82N055PUG-E1-AY-ND
  NP82N055PUG-E1-AYTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 2W（Ta），30W（Tc） TO-220ML
  
  型号：BMS4007-1E
  仓库库存编号：BMS4007-1E-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE802DF-T1-E3
  仓库库存编号：SIE802DF-T1-E3TR-ND
  别名：SIE802DF-T1-E3TR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE802DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE802DF-T1-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 830W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH160N15T
  仓库库存编号：IXTH160N15T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 600V 10A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 600V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT10P60
  仓库库存编号：IXTT10P60-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 26A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT26N50
  仓库库存编号：IXFT26N50-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR24N50
  仓库库存编号：IXFR24N50-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 26A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 26A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR26N50
  仓库库存编号：IXFR26N50-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 10A TO-247AD
  详细描述：通孔 P 沟道 500V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH10P50
  仓库库存编号：IXTH10P50-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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