产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 5.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Ta) TO-220SIS
型号:
TK6A45DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK6A45DA(STA4QM)-ND
别名:TK6A45DA(STA4QM)
TK6A45DASTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 178W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB11S60L
仓库库存编号:
785-1246-1-ND
别名:785-1246-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 525V 5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK5A53D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK5A53D(STA4QM)-ND
别名:TK5A53D(STA4QM)
TK5A53DSTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 6A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK6A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK6A50D(STA4QM)-ND
别名:TK6A50D(STA4QM)
TK6A50DSTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK5A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK5A55D(STA4QM)-ND
别名:TK5A55D(STA4QM)
TK5A55DSTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 6.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 6.5A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK7A45DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK7A45DA(STA4QM)-ND
别名:TK7A45DA(STA4QM)
TK7A45DASTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 2.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK3A65DA(STA4,QM)
仓库库存编号:
TK3A65DA(STA4QM)-ND
别名:TK3A65DA(STA4QM)
TK3A65DASTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 1.1A(Tc) 1W(Tc) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9010
仓库库存编号:
IRFD9010-ND
别名:*IRFD9010
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
含铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK3A65D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK3A65D(STA4QM)-ND
别名:TK3A65D(STA4QM)
TK3A65DSTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 37W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R1K2P7AKMA1
仓库库存编号:
IPU80R1K2P7AKMA1-ND
别名:SP001644614
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 37W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS80R1K2P7AKMA1
仓库库存编号:
IPS80R1K2P7AKMA1-ND
别名:SP001644626
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 25W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R1K2P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA80R1K2P7XKSA1-ND
别名:SP001644600
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 37W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP80R1K2P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP80R1K2P7XKSA1-ND
别名:SP001644606
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 1.5A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
AUIRFL014NTR
仓库库存编号:
AUIRFL014NTR-ND
别名:SP001521554
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 3A(Tc) 26.6W(Tc) Thin-PAK(5x6)
型号:
IPL65R1K5C6SATMA1
仓库库存编号:
IPL65R1K5C6SATMA1-ND
别名:SP001163086
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 22A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 80V 22A(Tc) 56W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN050-80PS,127
仓库库存编号:
568-4901-5-ND
别名:568-4901-5
934063909127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 200V 1.8A(Tc) 20W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9610
仓库库存编号:
IRF9610-ND
别名:*IRF9610
IRF9611
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR014
仓库库存编号:
IRFR014-ND
别名:*IRFR014
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 10A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ14
仓库库存编号:
IRFZ14-ND
别名:*IRFZ14
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 1.8A(Tc) 3W(Ta),20W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9610S
仓库库存编号:
IRF9610S-ND
别名:*IRF9610S
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 1.7A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD014
仓库库存编号:
IRFD014-ND
别名:*IRFD014
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 8A(Tc) 27W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIZ14G
仓库库存编号:
IRFIZ14G-ND
别名:*IRFIZ14G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.7A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL014
仓库库存编号:
IRFL014-ND
别名:*IRFL014
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.7A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL014TR
仓库库存编号:
IRFL014TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR014TR
仓库库存编号:
IRFR014TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
含铅
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